IPFキャリア実装による10 Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
偏波無依存EA変調器4ch.アレイ素子を、IPF (impedance-matched film)キャリア実装による高周波アレイ配線技術を用いて10 Gbit/sで動作させた。IPFキャリアとはポリイミドフィルム上にグランドコプレーナ高周波配線を形成したものである。すべてのチャネルで10Gbit/sでの明瞭なアイ開口、低クロストーク、偏波無依存動作を確認した。10Gbit/sでの立ち上がり、立下り時間は50ps程度であり、SOAゲートを遥かに上回る超高速スイッチング動作を実現した。
- 1999-11-26
著者
-
川口 悦弘
NTTフォトニクス研
-
吉本 直人
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
吉本 直人
Nttフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
近藤 進
NTTフォトニクス研究所
-
野口 悦男
NTTフォトニクス研究所
-
竹内 博昭
NTTフォトニクス研究所
-
細矢 正風
NTT通信エネルギー研究所
-
柳橋 光昭
NTT通信エネルギー研究所
-
近藤 進
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:新潟国際情報大学
-
竹内 博昭
NTTエレクトロニクス(株)
-
野口 悦男
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹内 博昭
Nttエレクトロニクス株式会社
-
細矢 正風
Nttエレクトロニクス
-
野口 悦男
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス株式会社
関連論文
- 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- IPFキャリア実装による10 Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- ラダー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-3-74 SOAアレイとAWGを用いた等間隔/不等間隔多波長変換
- C-3-113 10Gb/s SOA-PLCハイブリッド集積波長変換モジュール
- C-4-6 InP MZM搭載10Gbps波長可変光源の全Cバンド変調振幅一定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 非対称周期構造を有する波長可変分布活性DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-32 低消費電力高性能DFBアレイ波長選択光源モジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-12 電流制御によるチューナブルDFBレーザアレイの高出力動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-7 DFB アレイ型波長選択光源における SOA 直接変調動作
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 電流帰還による DFB アレイ型波長選択光源の高速波長制御
- C-4-3 高速波長切り替え型 DFB アレイ波長選択光源
- 1.55μm帯ハイブリッド集積型波長変換モジュール
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-7 SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器を用いた10Gbit/sデュオバイナリ伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-15 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-9-3 高速動作n-p-i-n構造InPマッハツェンダ光変調器(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 小型で省電力の光変調器 (特集 環境負荷低減への取り組み)
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- C-3-39 IPFキャリアを用いた高速4ch-EA変調器モジュールの構成技術
- C-3-38 IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch. アレイ素子
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- InP基板上の温度依存性の小さい光周波数変動センサモジュール
- C-4-24 Butt-Joint型スポットサイズ変換付き半導体ゲート(SS-SOAゲート)の長期安定動作
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-3-163 新しいセミベクトルFE-BPMによるテーパ光導波路偏波依存性の解析
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速歪み量子井戸InGaAsP光変調器/DFBレーザ集積化光源
- SC-3-9 ハイブリッド集積32ch高速光波長セレクタ
- C-3-6 1.55-μm帯ハイブリッド集積波長変換モジュールの温度安定動作
- 半導体光増幅器のハイブリッド集積技術と高速光波長セレクタへの応用
- 半導体光増幅器のハイブリッド集積技術と高速光波長セレクタへの応用
- 半導体光増幅器のハイブリッド集積技術と高速光波長セレクタへの応用
- 半導体光増幅器のハイブリッド集積技術と高速光波長セレクタへの応用
- 1.55μm偏波無依存SOAゲートへのスポットサイズ変換機能の集積
- スポットサイズ変換導波路を集積した方向性結合形高速光スイッチモジュール
- スポットサイズ変換導波路を集積した方向性結合形高速光スイッチモジュール
- スポットサイズ変換光導波路を集積したInGaAlAs/InAlAs MQW導波路形4 x 4光スイッチジュール
- C-3-112 SOA-PLCハイブリッド集積波長セレクタの四光波混合を用いた多波長一括変換
- 1.3μm帯光トランシーバダイオード
- 1.3μm帯光トランシーバダイオード
- スポットサイズ変換付き偏波無依存SOAゲートアレイ
- スポットサイズ変換付き偏波無依存SOAゲートアレイ
- C-4-12 幅広導波路を用いた1.55μm偏波無依存型スポットサイズ変換付き半導体光アンプ(SS-SOA)
- スポットサイズ変換集積SOAの高均一特性 : 8ch SS-SOAゲートアレイ
- 高速・低電圧MQW光変調器の低挿入損失化
- 格子整合系MQWを用いた偏波無体存MZ光スイッチ
- B-10-111 半導体光増幅器(SOA)を用いたWDM光アクセス方式用トランシーバ
- SC-5-5 ハイブリッド集積光 XOR 回路を用いた偏波モード分散補償
- SC-4-2 モノリシック集積波長変換素子SIPASを用いた10Gb/s波長多重チャネルから40Gb/sチャネルへのビットレート変換
- 半導体LD光増幅器の利得飽和を用いた光パケット強度等化器
- ハイブリッド集積1.55μmSS-SOAゲートアレーを用いた8チャネル高速光波長フィルタモジュール
- スポットサイズ変換集積半導体光増幅器(SS-SOA)ゲートの動特性評価
- ハイブリッド集積光ゲートモジュールを用いた超広帯域高速波長選択スイッチ : PLCプラットフォーム上の4チャネル偏波無依存SS-SOAゲートアレイ
- InGaAlAs/InAlAs MQW半導体導波路形光スイッチモジュールの動特性評価
- 方向性結合器形グレーティングスイッチと空間スイッチモジュールを用いたWDM-TDMクロスコネクトシステム
- C-4-22 1.55μmスポットサイズ変換付きDFBレーザの反射耐性および信頼性
- C-4-17 Butt-joint型1.55μmスポットサイズ変換付きDFBレーザの高温動作
- C-3-110 高利得PLCハイブリッドSOAアレイモジュール
- 6a-Y-8 La_Sr_xCuO_4の熱起電力の高温測定
- 1.55μmスポットサイズ変換集積 偏波無依存SOAゲート
- 偏波無依存SOAゲートモジュールのスイッチング特性
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引