C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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概要

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• 2010-03-02

著者

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Ntt

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

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