荒井 昌和 | 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所の論文著者

関連著者

• 荒井 昌和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 柴田 泰夫

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Ntt

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 山中 孝之

  NTTフォトニクス研究所

• 菊池 順裕

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 菊池 順裕

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 保井 孝子

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 八坂 洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 八坂 洋

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 保井 孝子

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 八坂 洋

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 八坂 洋

  Ntt 光エレクトロニクス研

• 小木曽 義弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石川 光映

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山田 英一

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 近藤 康洋

  Nttフォトニクス研究所

• 満原 学

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 中島 紀伊知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金沢 慈

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 田野辺 博正

  日本電信電話株式会社 フォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

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著作論文

• C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-7 SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器を用いた10Gbit/sデュオバイナリ伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-4 メタモルフィックバッファを用いたGaAs基板上1.3ミクロン帯レーザによる20Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高温動作・低消費電力化を実現するメタモルフィックレーザ (特集 フォトニックネットワークに貢献する光半導体技術)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• C-4-2 InP(110)基板上シングル電極駆動MZ光変調器の提案(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-11 InP(110)基板上シングル駆動MZ光変調器の高速・アサーマル動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-2 多粒子系の量子力学に基づく半導体量子構造光学特性解析技術(CS-5.光導波路・光デバイスシミュレーション技術の最新動向と今後の展望)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作

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