C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-09-01
著者
-
狩野 文良
NTTフォトニクス研
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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