狩野 文良 | Nttフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
Ntt
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉國 裕三
NTT光エレクトロニクス研究所
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
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吉國 裕三
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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石川 光映
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉國 裕三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉国 裕三
Ntt光エレクトロニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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岸 健志
Nttフォトニクス研究所
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小林 亘
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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都築 健
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTエレクトロニクス
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石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
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吉国 裕三
Nttフォトニクス研究所
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吉國 裕三
日本電信電話株式会社ntt光エレクトロニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
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保井 孝子
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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菊池 順裕
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉村 了行
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
NTT光エレクトロニクス研究所
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狩野 文良
Ntt未来ねっと研究所
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大橋 弘美
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三条 広明
Nttフォトニクス研究所
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保井 孝子
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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八坂 洋
Nttフォトニクス研
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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石川 光映
NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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菊池 順裕
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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(独)宇宙航空研究開発機構
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佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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金澤 慈
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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青木 拓克
フルウチ化学 (株)
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山本 智
フルウチ化学 (株)
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細川 忠利
フルウチ化学 (株)
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松島 正明
フルウチ化学 (株)
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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荒井 昌和
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岡本 浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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福田 光男
Ntt光エレクトロニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武志
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
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布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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奥 哲
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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三条 広明
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
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神徳 正樹
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究
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鳥羽 弘
NTT光エレクトロニクス研究所
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
-
黒崎 武志
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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吉村 了行
Nttフォトニクス研究所
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金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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福田 光男
Ntt 電子応用研
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研
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松島 正明
フルウチ化学株式会社筑波工場
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山本 智
フルウチ化学株式会社筑波工場
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細川 忠利
フルウチ化学株式会社筑波工場
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金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
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大木 明
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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硴塚 孝明
NTTフォトニクス研究所
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山田 英一
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
山田 英一
NTTフォトニクス研究所
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山田 英一
NTT光ネットワークシステム研究所
-
依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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大林 康二
北里大学大学院医療系研究科
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硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
山田 英一
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
馬渡 宏泰
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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近藤 康弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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笠谷 和生
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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笠谷 和生
NTTフォトニクス研究所
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構iss科学プロジェクト室
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横溝 克也
Nttエレクトロニクス
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藤浬 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTT東日本
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狩野 文良
Ntt光ネットワークシステム研究所
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馬渡 宏泰
NTT光エレクトロニクス研究所
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
-
三条 広明
Ntt未来ねっと研究所
-
八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
-
荒井 昌和
東日本電信電話(株)サービス運営部技術協力センタ
-
石川 光映
NTT光エレクトロニクス研究所
-
川口 悦弘
NTTエレクトロニクス株式会社
-
馬渡 宏泰
Ntt フォトニクス研
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
著作論文
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-18 熱補償型SSG-DBRレーザによる140nm高速波長掃引(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 モードホップフリー分布反射型 (DBR) レーザの波長切替特性
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 狭線幅DFBレーザの信頼性
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 電流帰還による DFB アレイ型波長選択光源の高速波長制御
- 波長可変DBRレーザの素子劣化時における発振波長変動
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CS-9-3 高速動作n-p-i-n構造InPマッハツェンダ光変調器(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- PDを集積した半導体アレイ導波路回折格子(AWG-PD)の2.5Gb/s受信特性
- PDを集積した半導体アレイ導波路回折格子(AWG-PD)の2.5Gb/s受信特性
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- B-10-135 周波数/時間フィルタリングによる光直交FDM伝送の検討
- SSG-DBRレーザの発振モード・波長の安定化の検討
- C-4-23 波長変動を抑制した SSG-DBR レーザのモード安定化法
- C-4-30 注入同期を用いた光周波数スイーパのコヒーレント特性
- OPE2000-41 / LQE2000-35 波長可変注入同期フィルタを用いた光リング型周波数スイーパ
- OPE2000-41 / LQE2000-35 波長可変注入同期フィルタを用いた光リング型周波数スイーパ
- 熱応答補正による光リング回路の広帯域動作
- C-4-38 波長可変レーザの注入同期を応用した光リング回路
- 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)