近藤 康洋 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

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概要

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関連著者

• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 柴田 泰夫

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 岡本 浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 竹下 達也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 奥 哲

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 佐藤 具就

  NTTフォトニクス研究所

• 硴塚 孝明

  NTTフォトニクス研究所

• 岸 健志

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 岸 健志

  Nttフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 硴塚 孝明

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 満原 学

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Ntt

• 深野 秀樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 満原 学

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ

• 菊池 順裕

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 瀬川 徹

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 石井 啓之

  NTTフォトニクス研究所

• 松尾 慎治

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 瀬川 徹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 瀬川 徹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 松尾 慎治

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 松尾 慎治

  NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 敏夫

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  NTTフォトニクス研

• 深野 秀樹

  NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  NTTフォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  Ntt フォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 鈴木 安弘

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 依田 眞一

  (独)宇宙航空研究開発機構

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 鈴木 博之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構

• 鈴木 博之

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 吉野 薫

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 依田 真一

  JAXA

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田村 宗久

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 湯田 正宏

  NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 依田 真一

  Japan Aerospace Exploration Agency

• 鈴木 博之

  (株)日立製作所ストレージシステム事業部

• 鈴木 博之

  (株)クラレ情報システム室

• 田村 宗久

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 鈴木 博之

  静岡大学工学部

• 近藤 康洋

  Nttフォトニクス研究所

• 伊藤 弘

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 弘

  北里大学自然科学教育センター

• 高橋 亮

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 依田 真一

  宇宙航空研究開発機構

• 荒井 昌和

  NTTフォトニクス研

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 吉國 裕三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 須郷 満

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 小林 亘

  NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTTエレクトロニクス

• 吉國 裕三

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 大野 哲一郎

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高橋 亮

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 依田 眞一

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻

• 依田 真一

  宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター

• 依田 真一

  宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ

• 東盛 裕一

  Ntt フォトニクス研

• 大野 哲一郎

  日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

• 礒塚 孝明

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ

• 古田 知史

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 吉國 裕三

  NTTフォトニクス研究所

• 古田 知史

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 佐藤 憲史

  日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所

• 布谷 伸浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  NTTフォトニクス研究所

• 吉国 裕三

  Nttフォトニクス研究所

• 吉国 裕三

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 佐藤 憲史

  日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 吉國 裕三

  日本電信電話株式会社ntt光エレクトロニクス研究所

• 古田 知史

  Ntt フォトニクス研

• 佐藤 憲史

  日本電信電話(株)NTT未来ねっと研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 古田 知史

  NTTフォトニクス研究所

• 八坂 洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 里江子

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 鈴木 安弘

  NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 八坂 洋

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 八坂 洋

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 石井 啓之

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 古田 知史

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構

• 青木 拓克

  フルウチ化学 (株)

• 山本 智

  フルウチ化学 (株)

• 細川 忠利

  フルウチ化学 (株)

• 松島 正明

  フルウチ化学 (株)

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 須崎 泰正

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 須崎 泰正

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 奥 哲

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 伊藤 猛

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 須崎 泰正

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 湯田 正宏

  日本電信電話株式会社 フォトニクス研究所

• 八坂 洋

  Ntt 光エレクトロニクス研

• 松島 正明

  フルウチ化学株式会社筑波工場

• 山本 智

  フルウチ化学株式会社筑波工場

• 細川 忠利

  フルウチ化学株式会社筑波工場

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)

• 荒井 昌和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 石橋 忠夫

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 加藤 和利

  NTTフォトニタス研究所

• 伊藤 弘

  東京大学大学院農学生命科学研究科

• 大木 明

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 岡田 顕

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石川 光映

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 吉村 了行

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大林 康二

  北里大学大学院医療系研究科

• 近藤 進

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:新潟国際情報大学

• 中島 裕樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 鄭 錫煥

  NTTフォトニクス研究所

• 鄭 錫煥

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 浅香 航太

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 齊藤 正

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 馬渡 宏泰

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• 近藤 康弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 布谷 伸浩

  NTTフォトニクス研究所 日本電信電話株式会社

• 馬渡 宏泰

  NTTフォトニクス研究所

• 加藤 和利

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構iss科学プロジェクト室

• 竹内 博昭

  NTTエレクトロニクス(株)

• 中島 裕樹

  NTTフォトニクス研究所

• 布谷 伸浩

  Nttフォトニクス研究所

• 野口 悦男

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 竹内 博昭

  Nttエレクトロニクス株式会社

• 加藤 和利

  Nttフォトニクス研究所

• 中島 史人

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 満原 学

  NTTフォトニクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 岸 健二

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 都築 健

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 野口 悦男

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 齋藤 正

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 野口 悦男

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス株式会社

• 荒井 昌和

  東日本電信電話(株)サービス運営部技術協力センタ

• 川口 悦弘

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 馬渡 宏泰

  Ntt フォトニクス研

• 中島 紀伊知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 岡田 頭

  Nttフォトニクス研究所

• 石橋 忠夫

  Nttエレクトロニクス

• 金澤 慈

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 浅香 航太

  日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

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著作論文

• 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
• C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-18 熱補償型SSG-DBRレーザによる140nm高速波長掃引(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長選択型モードホップフリーDBRレーザアレイ(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• C-4-20 モードホップフリー分布反射型 (DBR) レーザの波長可変特性
• 半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• C-4-20 高結合係数回折格子を有する位相制御波長可変DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-31 チャープしたラダーフィルタを用いる半導体波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
• C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 半導体モノリシック集積による大規模(lOOch級)WDMチャネルセレクタ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• C-4-47 モノリシック集積 100ch-WDM チャネルセレクタ
• C-4-13 2.3-μm波長高歪lnAs/lnP MQW-DFBレーザの長期安定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 非対称周期構造を有する波長可変分布活性DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
• 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
• 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
• 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-3-3 モノリシック集積型多チャンネル光変調素子の 2.5Gbps 動作
• C-14-9 モード同期レーザと符号化用EA変調器をモノリシック集積した光ミリ波送信器(C-14. マイクロ波フォトニクス, エレクトロニクス1)
• 160GHzアクティブモード同期半導体レーザーとその光クロック信号再生への応用
• C-4-13 高温特Ru添加SIBH-DFBレーザの長期安定動作の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-10 高感度2.3μm光検出新構造フォトトランジスタ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-18 InAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 光ガスセンサに向けた波長2.3μmの分布帰還型半導体レーザ (特集 センシング用レーザ光源技術)
• InAs量子井戸構造を用いたガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザー
• CS-5-6 環境ガスセンシング用2μm波長帯InP系レーザ(C-5. (地球)環境と光エレクトロニクス,シンポジウムセッション)
• C-4-31 2.1-μm波長DFBレーザの長期安定動作の解析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-41 40Gbit/s InP系n-i-n構造MZ変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-24 半導体モード同期レーザを用いた160GHz光クロック信号再生(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-16 低チャープ動作の40Gbit/s EA-DFBモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• SC-2-8 EA変調器及びEA変調器集積DFBレーザの高速化と低電圧化
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-1 0.79 V動作40-Gbit/s電界吸収型変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 160GHzアクティブモード同前半導体レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
• C-4-39 160GHz アクティブモード同期半導体レーザ
• 半導体モノリシック集積による大規模(lOOch級)WDMチャネルセレクタ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 波長選択型モードホップフリーDBRレーザアレイ(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• モノリシック集積波長変換素子SIPASをもちいた40Gb/s-LAN間ブリッジ
• 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• モノリシック集積波長変換素子SIPASをもちいた40Gb/s-LAN間ブリッジ
• モノリシック集積差分位相変調型 波長変換素子(SIPAS)を用いたフィルタフリー波長変換
• モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)を用いたフィルタフリー波長変換
• モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)を用いたフィルタフリー波長変換
• C-3-66 モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS)を用いた10Gb/s波長多重チャネルから40Gb/sチャネルへのビットレート変換
• C-3-65 モノリシック集積差分位相変調型波長変換素子(SIPAS) におけるフィルタフリー動作
• SC-2-5 広帯域(46.9nm) 波長選択光源
• C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ
• 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ

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