高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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概要
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Ruthenium(Ru)をドープした高抵抗InP膜で哩込んだ構造の1.3μm帯InGaAsP系MQW DFBレーザを作製し、高温における10Gb/s動作を評価した。この理込み構造DFBレーザの光出力-注入電流(L-I)特性評価から、95℃において10mW以上の十分な光出力が得られ、120℃までCW発振することを確認した。小信号の変調特性評価から得られた緩和振動周波数(fr)は、95℃で10GHzと良好な値を示した。そして、10Gb/s直接変調時のアイパターン測定において0〜100℃までの広い温度範囲で明瞭なアイ開口が実現できた。また85℃、光出力8mW一定におけるAPC通電試験では5000時間以上での安定動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-23
著者
-
岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
Nttフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
-
湯田 正宏
日本電信電話株式会社 フォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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