1.55μm帯埋込み面発光レーザ

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概要

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• 1.55μm帯埋込み長波長帯VCSELについての検討を行った。埋込み層を有するInP系活性層をGaAs系DBR上に薄膜化ウエハーフージョン法により作製し、回折損失と無効電流の小さい構造にすることにより、メササイズ5μmにおいて室温CW動作で0.38mAまでの低閾値電流化が達成された。また、同時に最大出力時においても、単一横モード動作を確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-02-15

著者

• 岸 健志

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 岸 健志

  Nttフォトニクス研究所

• 岡本 浩

  NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 大礒 義孝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 天野 主税

  Nttフォトニクス研究所

• 大礒 義孝

  NTTフォトニクス研究所

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