偏波無依存LD型光ゲートスイッチ
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概要
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ドライエッチングと再成長埋め込み技術を用い,活性層幅が活性層厚と同程度の0.3μmとなる正方形状バルク活性層をLD型光ゲートスイッチに導入し,0.3dB以下の低偏波利得差を有するLD型光ゲートスイッチモジュールを実現した.このLD型光ゲートスイッチは光情報処理の光スイッチとして有望である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-12
著者
-
玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
吉野 薫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
Nttフォトニクス研究所
-
伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
NTT光エレクトロニクス研究所
-
伊藤 敏夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
Lui Wayne
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康浮
NTT光エレクトロニクス研究所
-
曲 克明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
鈴木 安弘
NTT光エレクトロニクス研究所
-
永沼 充
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
Lui Wayne
NTT Opto-electronics Laboratories
-
ウェイン ルイ
NTT光エレクトロニクス研究所
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