偏波無依存LD型光スイッチモジュール
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概要
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光情報処理には光スイッチが必須であり、長距離単一モードファイバを通過した光の偏波は時間的に変動することから、光スイッチの偏波無依存化が求められている。前回我々はバルク活性層を用いた幅0.35μmのLD型光スイッチ(LDSW)を実現し、偏波無依存のゲート型光スイッチとして有望であることを示した。偏波無依存化を進めるためには水平と垂直方向の光閉じ込め係数(Γ)を等価にすること(活性層幅を光学的に等価)ことが必要である。さらに、光源の波長が変化する系では広帯域で偏波無依存であることが必要となる。バルク活性層ではキャリア密度によるTEとTMの利得係数差が生じないため広帯域での偏波無依存化が期待される。今回、活性層幅を0.3μmまで減少させ正方形状の断面活性層を作製し、Γの差を減少させ、広帯域で偏波無依存のLDSWモジュールを実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
吉野 薫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
竹下 達也
NTT光エレクトロニクス研究所
-
伊藤 敏夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
Lui Wayne
NTT光エレクトロニクス研究所
-
曲 克明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
鈴木 安弘
NTT光エレクトロニクス研究所
-
永沼 充
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
Lui Wayne
NTT Opto-electronics Laboratories
-
ウェイン ルイ
NTT光エレクトロニクス研究所
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