半導体光増幅器(SOA)の劣化解析
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概要
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半導体光増幅器(SOA)の長期通電試験を行い劣化姿態を明らかにした。SOAの活性化エネルギー(0.5eV)とASE出力比の劣化傾向が構造の同じ埋込型半導体レーザに近いことから、SOAの劣化は埋込型半導体レーザと同様な過程で進行する可能性が推測された。メディアン寿命は、ASE出力比1dB低下を故障とした場合、25℃、100mA動作で約11万時間が見積もられ、実用上十分な寿命を持つことがわかった。劣化デバイスの活性層を光励起電流(OBIC)で観察し、バットジョイント近傍の活性層が劣化したことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-18
著者
-
伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
曲 克明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
曲 克明
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
-
上岡 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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