半導体光導波路の端面反射率の3次元セミベクトル解析
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概要
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光導波の端面反射率は, 特に半導体レーザ(LD)などのactive光デバイスにおいて, テバイスの特性の解明および向上を図る上で重要なパラメータであり, これまで検討されて来た, 。しかしながら, 従来の計算は全て2次元解析であったため, その適用限界が不明であった。本報告では端面反射率について3次元解析を行い, コア幅に対する端面反射率の振る舞いを初めて明らかにするとともに, 3次元解析が実用上不可欠であることを示す。また, 2次元解析の適用限界についても考察する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
竹下 達也
NTT光エレクトロニクス研究所
-
伊藤 敏夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
河野 健治
Nttフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
NTT光エレクトロニクス研究所
-
蓮見 裕二
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
Ntt 光エレクトロニクス研
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