竹下 達也 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

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概要

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関連著者

• 竹下 達也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 須郷 満

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  Ntt フォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 伊藤 敏夫

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 岸 健志

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 岸 健志

  Nttフォトニクス研究所

• 竹下 達也

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 曲 克明

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 敏夫

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 満原 学

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 加藤 和利

  Nttフォトニクス研究所

• 満原 学

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 佐藤 具就

  NTTフォトニクス研究所

• 加藤 和利

  NTTフォトニタス研究所

• 永沼 充

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 加藤 和利

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山本 ミツ夫

  Nttエレクトロニクス(株)光半導体事業部

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ

• 吉野 薫

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• Lui Wayne

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 鈴木 安弘

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 曲 克明

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• Lui Wayne

  NTT Opto-electronics Laboratories

• 上岡 裕之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• ウェイン ルイ

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 玉村 敏昭

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 玉村 敏昭

  Ntt 光エレクトロニクス研究所

• 岸 健志

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 大橋 弘美

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 湯田 正宏

  NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 神徳 正樹

  Nttフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 河野 健治

  Nttフォトニクス研究所

• 山本 〓夫

  Nttエレクトロニクス(株)

• 神徳 正樹

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 河野 健治

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 蓮見 裕二

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 湯田 正宏

  日本電信電話株式会社 フォトニクス研究所

• 河野 健治

  Ntt 光エレクトロニクス研

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 岡本 稔

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 石井 啓之

  NTTフォトニクス研究所

• 福田 光男

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 鬼頭 勤

  NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 山本 〓夫

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 赤津 祐史

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 馬渡 宏泰

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 猛

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 近藤 康浮

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 鳥羽 弘

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 内田 直人

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 加藤 和利

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 馬渡 宏泰

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 幸前 篤郎

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 湯田 正宏

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 鬼頭 勤

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 石井 啓之

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 佐々木 徹

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 幸前 篤郎

  NTTエレクトロニクス

• 鬼頭 勤

  Nttエレクトロニクステクノロジー

• 近藤 康洋

  Nttフォトニクス研究所

• 福田 光男

  Ntt 電子応用研

• 馬渡 宏泰

  Ntt フォトニクス研

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

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著作論文

• 偏波無依存LD型光ゲートスイッチ
• C-4-13 2.3-μm波長高歪lnAs/lnP MQW-DFBレーザの長期安定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• プレーナ導波路型フォトダイオード(SIMPLE-WGPD)の信頼性評価
• 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
• 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
• 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
• InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-13 高温特Ru添加SIBH-DFBレーザの長期安定動作の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-9 OBICを用いた半導体ファブリ・ペローレーザの摩耗故障の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-8 OBICモニタを用いたDFBレーザの内部劣化の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-3 光励起電流測定を用いた活性層近傍の濃度分析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• 偏波無依存ゲート型光スイッチ
• OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• CS-4-2 ガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザ(CS-4.波長域が広がるレーザ技術とその応用〜「新波長レーザ」のシーズとニーズの融合に向けて〜,シンポジウムセッション)
• C-4-18 InAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-31 2.1-μm波長DFBレーザの長期安定動作の解析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• C-4-26 ハイメサSIBH構造高信頼1.5μmDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性)
• InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性)
• InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 波長帯域を広くした偏波無依存LD型光スイッチモジュール
• 偏波無依存LD型光スイッチモジュール
• 不連続光導波路解析のための有限要素法を用いた双方向MoL-BPM (FE-MoL-BPM)の提案
• 半導体光導波路の端面反射率の3次元セミベクトル解析
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 半導体光増幅器(SOA)の劣化解析(光部品の実装,信頼性)
• 半導体光増幅器(SOA)の劣化解析(光部品の実装,信頼性)
• 半導体光増幅器(SOA)の劣化解析
• C-4-10 OBIC法を使ったp-/n-InP埋込み構造FPレーザの第一段劣化の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-1-2 光励起電流法を用いた半導体レーザの劣化解析(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)

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