InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性)
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概要
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AR端面側光出射領域のOBIC強度をモニタし、0.98μm帯InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化機構を解析した。突発故障はCODにより生じたことを確認し、端面劣化がCOD劣化を支配するだけではなく、通電電流増加率を上げ摩耗故障も支配することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-16
著者
-
東盛 裕一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
須郷 満
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
-
東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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