n-i-n構造マッハツェンダ光変調器の開発
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概要
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半導体層に新規に考案した「n-i-n構造」を導入することで, 小型で高速, 低電圧駆動が可能な光位相変調器を実現した.この位相変調器を利用した電極長3mmのマッハツェンダ変調器を作製し1.0Vプッシュプル駆動, 10Gbit/s長距離伝送を実現したのでその特性について述べる.更に超高速動作に対応するための方策と, 本変調器で実現された低駆動電圧(V_<pp>=2.3V)の40Gbit/s光変調特性について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-02-01
著者
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
-
八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
-
八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
-
東盛 裕一
Ntt フォトニクス研
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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