レーザーカオス光集積回路と高速物理乱数生成

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-07-15

著者

• 砂田 哲

  Atr波動工学研究所非線形科学研究室

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 原山 卓久

  Atr波動研

• 原山 卓久

  NTTコミュニケーション科学基礎研究所日本電信電話株式会社

• 砂田 哲

  Nttコミュニケーション科学基礎研究所

• 原山 卓久

  Nttコミュニケーション 科学基礎研究所

• 砂田 哲

  Nttコミュニケーション 科学基礎研究所

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 原山 卓久

  日本電信電話(株)NTTコミュニケーション科学基礎研究所

関連論文

• 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
• 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
• IPFキャリア実装による10 Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
• 波動カオスのレーザー発振
• C-4-6 InP MZM搭載10Gbps波長可変光源の全Cバンド変調振幅一定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-32 低消費電力高性能DFBアレイ波長選択光源モジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
• C-4-12 電流制御によるチューナブルDFBレーザアレイの高出力動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• C-4-7 DFB アレイ型波長選択光源における SOA 直接変調動作
• C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-4 電流帰還による DFB アレイ型波長選択光源の高速波長制御
• C-4-3 高速波長切り替え型 DFB アレイ波長選択光源
• C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-7 SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器を用いた10Gbit/sデュオバイナリ伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-9-3 高速動作n-p-i-n構造InPマッハツェンダ光変調器(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
• 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• 小型で省電力の光変調器 (特集 環境負荷低減への取り組み)
• IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
• C-3-39 IPFキャリアを用いた高速4ch-EA変調器モジュールの構成技術
• C-3-38 IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch. アレイ素子
• C-3-21 モノリシック集積化半導体リングレーザジャイロチップの設計と試作(光記録・計測(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-55 半導体ファイバオプティックジャイロ(S-FOG)におけるSagnacビートスペクトル線幅と共振器長との関係(光記録・記測,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• C-3-53 S-FOGによる新しいサニャック効果理論の検証(光記録・記測,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• C-3-21 半導体ファイバオプティックジャイロ(S-FOG)のSagnacビートスペクトルの検出に関する検討(光記録・計測(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• 微小共振器における Sagnac 効果
• 微小共振器におけるSagnac効果(マイクロ波フォトニクス技術,光・電波ワークショップ)
• 微小共振器におけるSagnac効果(マイクロ波フォトニクス技術,光・電波ワークショップ)
• 微小共振器における Sagnac 効果
• C-3-137 共振器モードに対するサニャック効果(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• C-3-22 モノリシック集積化半導体リングレーザジャイロチップにおけるウィンキング現象の観測(光記録・計測(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• InP基板上の温度依存性の小さい光周波数変動センサモジュール
• C-3-23 半導体ファイバオプティックリングレーザジャイロにおけるウィンキング現象とその共振器面積依存性(光記録・計測(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 30pXH-7 2 次元マイクロキャビティレーザの 2 モード同期
• 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 14aTK-2 マイクロスタシアムレーザの実験(量子カオス・量子力学, 領域 11)
• 15pTG-5 InGaAsP 系擬似スタジアム型共振器レーザにおける単一周回モード発振(量子エレクトロニクス, 領域 1)
• 15pTG-4 不安定条件擬似スタジアム型共振器レーザにおける発振スペクトル(量子エレクトロニクス, 領域 1)
• 15pTG-3 マイクロスタシアムレーザ(量子エレクトロニクス, 領域 1)
• 30aXG-10 擬似スタジアム型レーザにおける発振モードの振る舞い(量子エレクトロニクス)(領域1)
• 20aWE-11 対称な形状の二次元マイクロキャビティにおける引き込み現象と非対称な発振パターン
• 20aWE-10 2 次元マイクロキャビティレーザ : 発振モードに及ぼす 2 次元形状効果
• 21aTF-5 対称な形状の二次元マイクロキャビティにおける引き込み現象と非対称な発振パターン
• 21aTF-3 擬似スタジアム型レーザの発振スペクトル特性
• 21aTF-2 2 次元マイクロキャビティレーザ : 発振モードに及ぼす 2 次元形状効果
• 22aXE-8 二次元微小共振器レーザーモデルのシミュレーション: 発振特性の共振器形状依存(量子力学・量子カオス,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 14aTK-1 マイクロスタジアムレーサーの発振タイナミクスモード方程式による解析(量子カオス・量子力学, 領域 11)
• 28pWA-2 マイクロスタジアムレーザーのモードダイナミクス(量子カオス系)(領域11)
• 28pWA-1 マイクロスタジアムレーザにおけるマルチ=アトラクター(量子カオス系)(領域11)
• 高速歪み量子井戸InGaAsP光変調器/DFBレーザ集積化光源
• CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• 21aTF-4 2D マイクロキャビティレーザの非線形理論
• 無給電光無線基地局を用いた5GHz帯双方向伝送
• B-5-302 無バイアスで動作する電界吸収型変調器の3次相互変調歪特性
• C-4-19 MZ変調器集積波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-41 40Gbit/s InP系n-i-n構造MZ変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• A-2-21 光注入により帯域拡大された半導体レーザカオスにおける超高速物理乱数生成(A-2.非線形問題,一般セッション)
• A-2-22 モノリシック集積化半導体カオスレーザチップによる物理乱数生成(A-2.非線形問題,一般セッション)
• BCS-2-3 高機能半導体モノリシックマッハツェンダ変調器(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• BCS-2-3 高機能半導体モノリシックマッハツェンダ変調器(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• C-4-14 80Gbit/s動作n-p-i-n構造InP DQPSK変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-7-7 低駆動電圧半導体変調器(CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
• n-i-n構造マッハツェンダ光変調器の開発
• A-2-25 ノイズを含む半導体レーザカオスを用いた物理乱数生成器のエントロピー生成率(A-2.非線形問題,一般セッション)
• A-2-24 レーザカオスによる高速非決定論的物理乱数生成に関する理論的考察(A-2.非線形問題,一般セッション)
• A-2-32 半導体レーザカオスを用いた物理乱数生成の後処理による高速化(A-2.非線形問題,一般セッション)
• C-3-9 マルチチップ集積PLCモジュールの熱応力解析と長期信頼性試験(光変調器波導路デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• レーザーカオス光集積回路と高速物理乱数生成
• 共通ランダム位相変調光による半導体レーザーの同期
• C-3-57 高信頼性石英-LiNbO_3ハイブリッド変調器の設計と評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 24pAE-10 ガルトンボードの最終状態の予測不可能性について(24pAE 保存力学系・その他の力学系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• CI-5-3 石英-LiNbO_3ハイブリッド集積技術を用いた高機能多値変調器とその信頼性技術(CI-5.光変調デバイスと材料技術の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• ガルトンボードの予測不可能性について
• C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• A-2-15 相互結合された半導体レーザを有する光集積回路における物理乱数生成実験(A-2.非線形問題,一般セッション)
• 8aXF-1 楕円形マイクロディスクレーザーの非線形ダイナミクス(量子エレクトロニクス(各種レーザー),領域1)
• 外部共振器を有するカオス発生用光集積回路による高速物理乱数生成

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク