都築 健 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
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狩野 文良
Ntt
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狩野 文良
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藤原 直樹
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八坂 洋
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菊池 順裕
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研
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日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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笠谷 和生
NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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保井 孝子
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
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山田 英一
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山田 英一
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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美野 真司
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏夫
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小林 亘
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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都築 健
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉國 裕三
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吉国 裕三
Nttフォトニクス研究所
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Ntt光エレクトロニクス研究所
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原山 卓久
Atr波動研
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日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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才田 隆志
日本電信電話株式会社
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福満 高雄
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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原山 卓久
NTTコミュニケーション科学基礎研究所日本電信電話株式会社
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福満 高雄
NTT光エレクトロニクス研究所
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才田 隆志
NTTフォトニクス研究所
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砂田 哲
Nttコミュニケーション科学基礎研究所
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原山 卓久
Nttコミュニケーション 科学基礎研究所
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砂田 哲
Nttコミュニケーション 科学基礎研究所
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土居 芳行
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福満 高雄
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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郷 隆司
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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荒武 淳
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山崎 裕史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山崎 裕史
NTTフォトニクス研究所
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郷 隆司
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村田 浩一
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村本 好史
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山田 英一
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吉松 俊英
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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吉松 俊英
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所NTT未来ねっと研究所
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綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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佐原 明夫
Ntt未来ねっと研究所フォトニックトランスポートネットワーク研究部
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佐原 明夫
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内田 淳史
埼玉大学大学院 理工学研究科
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内田 淳史
拓殖大学工学部電子工学科
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山崎 裕史
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橋本 俊和
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田村 宗久
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石井 元速
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大山 貴晴
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大礒 義孝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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奥 哲
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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伊藤 猛
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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橋本 俊和
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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加藤 和利
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所
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内田 淳史
慶大理工
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三条 広明
Nttフォトニクス研究所
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三条 広明
Ntt未来ねっと研究所
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デイビス ピーター
Atr適応研
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小川 育生
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NTTコミュニケーション科学基礎研究所
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坂巻 陽平
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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小川 育夫
NTT光エレクトロニクス研究所
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田村 宗久
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
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郷 隆司
Ntt フォトニクス研
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Davis Peter
Ntt コミュニケーション科学基礎研
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内田 淳史
埼玉大学大学院理工学研究科
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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内田 淳史
拓殖大 工
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原山 卓久
Nttコミュニケーション科学基礎研究所
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内田 淳史
埼玉大学
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吉村 和之
日本電信電話(株)nttコミュニケーション 科学基礎研究所
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坂巻 陽平
日本電信電話株式会社ntt未来ねっと研究所
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小木曽 義弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
坂巻 陽平
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
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石井 元速
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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吉村 和之
日本電信電話(株)NTTコミュニケーション科学基礎研究所
-
山崎 裕史
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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デイビス ピータ
テレコグニックス
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田野辺 博正
日本電信電話株式会社 フォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
ディビス ピーター
NTTコミュニケーション科学基礎研究所:(株)テレコグニックス
-
デイビス ピータ
株式会社テレコグニックス
-
三条 弘明
NTTフォトニクス研究所
-
坂巻 陽平
日本電信電話(株)NTT未来ねっと研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
小川 育生
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
著作論文
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-6 InP MZM搭載10Gbps波長可変光源の全Cバンド変調振幅一定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-32 低消費電力高性能DFBアレイ波長選択光源モジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-12 電流制御によるチューナブルDFBレーザアレイの高出力動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-7 DFB アレイ型波長選択光源における SOA 直接変調動作
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 電流帰還による DFB アレイ型波長選択光源の高速波長制御
- C-4-3 高速波長切り替え型 DFB アレイ波長選択光源
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-7 SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器を用いた10Gbit/sデュオバイナリ伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-9-3 高速動作n-p-i-n構造InPマッハツェンダ光変調器(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-19 MZ変調器集積波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-41 40Gbit/s InP系n-i-n構造MZ変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- A-2-22 モノリシック集積化半導体カオスレーザチップによる物理乱数生成(A-2.非線形問題,一般セッション)
- BCS-2-3 高機能半導体モノリシックマッハツェンダ変調器(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-3 高機能半導体モノリシックマッハツェンダ変調器(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-14 80Gbit/s動作n-p-i-n構造InP DQPSK変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-7-7 低駆動電圧半導体変調器(CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
- n-i-n構造マッハツェンダ光変調器の開発
- C-3-9 マルチチップ集積PLCモジュールの熱応力解析と長期信頼性試験(光変調器波導路デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- レーザーカオス光集積回路と高速物理乱数生成
- C-3-57 高信頼性石英-LiNbO_3ハイブリッド変調器の設計と評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-5-3 石英-LiNbO_3ハイブリッド集積技術を用いた高機能多値変調器とその信頼性技術(CI-5.光変調デバイスと材料技術の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)