藤原 直樹 | NTTフォトニクス研究所

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概要

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• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Ntt

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  NTTフォトニクス研

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 硴塚 孝明

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  NTTフォトニクス研

• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 硴塚 孝明

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 石井 啓之

  NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 小林 亘

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 松尾 慎治

  NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 吉國 裕三

  NTTフォトニクス研究所

• 鈴木 博之

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 瀬川 徹

  Nttフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 柴田 泰夫

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 瀬川 徹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 八坂 洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 吉國 裕三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 吉國 裕三

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 吉国 裕三

  Nttフォトニクス研究所

• 吉国 裕三

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  Ntt フォトニクス研究所

• 八坂 洋

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 八坂 洋

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 吉國 裕三

  日本電信電話株式会社ntt光エレクトロニクス研究所

• 鈴木 博之

  (株)日立製作所ストレージシステム事業部

• 瀬川 徹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 鈴木 博之

  (株)クラレ情報システム室

• 鈴木 博之

  静岡大学工学部

• 東盛 裕一

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 八坂 洋

  Ntt 光エレクトロニクス研

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 鈴木 博之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 松尾 慎治

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 岡本 浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 布谷 伸浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大橋 弘美

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 大橋 弘美

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 松尾 慎治

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 布谷 伸浩

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 石川 光映

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  Ntt フォトニクス研

• 金澤 慈

  NTTフォトニクス研究所

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 東盛 裕一

  Ntt フォトニクス研

• 金澤 慈

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 石井 啓之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会

• 大木 明

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 高畑 清人

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 吉村 了行

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 大林 康二

  北里大学大学院医療系研究科

• 柴田 泰夫

  NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社

• 八坂 洋

  NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社

• 鈴木 博之

  NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社

• 鈴木 博之

  Nttフォトニクス研

• 藤浬 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  NTT東日本

• 吉國 裕三

  北里大学理学部物理学科

• 上野 雅史

  北里大学理学部物理学科

• 田所 奈緒美

  東京工業大学精密工学研究所フォトニック集積システム研究センター

• 柴田 泰夫

  Nttフォトニクス研究所

• 田所 奈緒美

  東工大大学院総合理工学研究科

• 八坂 洋

  Nttフォトニクス研

• 吉國 裕三

  北里大学理学物理学科

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著作論文

• 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
• 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-18 熱補償型SSG-DBRレーザによる140nm高速波長掃引(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-14 周波数変調型SSG-DBRレーザと波長フィルタを用いた送信素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-6 モードホップフリー分布反射型 (DBR) レーザの波長切替特性
• 波長選択型モードホップフリーDBRレーザアレイ(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• C-4-20 モードホップフリー分布反射型 (DBR) レーザの波長可変特性
• R&Dホットコーナー ソリューション 100ギガビットイーサネット用変調器集積光源
• R&Dホットコーナー ソリューション 低消費電力1.55μm EADFBレーザ
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
• C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-13 分布活性DFBレーザアレイのチャネル切り替えにおける熱波長ドリフトの抑制(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 波長可変半導体レーザの発振波長制御技術の研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長選択型モードホップフリーDBRレーザアレイ(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送

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