田所 貴志 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
Ntt
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山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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中村 誠
Ntt フォトニクス研
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岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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岸 健志
Nttフォトニクス研究所
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小林 亘
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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石原 昇
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岡安 雅信
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
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石原 昇
群馬大 大学院工学研究科
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荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
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中村 誠
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
宇宙航空研究開発機構
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依田 真一
JAXA
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木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
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鈴木 安弘
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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首藤 義人
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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遠藤 潤
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
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須郷 満
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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黒崎 武
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 健児
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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天野 道之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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黒崎 武志
NTT光エレクトロニクス研究所
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近藤 康洋
NTTエレクトロニクス
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湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
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依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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黒崎 武志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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黒崎 武志
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
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山本 ミツ夫
Nttエレクトロニクス(株)光半導体事業部
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遠藤 潤
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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天野 道之
NTT 光エレクトロニクス研究所
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首藤 義人
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
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依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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黒崎 武志
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中村 誠
NTTフォトニタス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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東盛 裕一
NTTフォトニクス研究所
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石原 昇
NTTフォトニクス研究所
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岡安 雅信
NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
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満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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近藤 康弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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藤浬 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTT東日本
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石井 啓之
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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中村 誠
Nttフォトニクス研究所
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康洋
Nttフォトニクス研究所
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満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
中島 紀伊知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
著作論文
- 1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (光エレクトロニクス)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送 (フォトニックネットワーク)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- R&Dホットコーナー ソリューション 100ギガビットイーサネット用変調器集積光源
- R&Dホットコーナー ソリューション 低消費電力1.55μm EADFBレーザ
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- C-3-108 波長制御機能付き1.55μm帯4ch×2.5Gbps SS-DFBレーザモジュール
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- プラスチックパッケージと簡易実装技術を用いた10Gb/s光受信モジュールの検討
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- CS-4-2 ガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザ(CS-4.波長域が広がるレーザ技術とその応用〜「新波長レーザ」のシーズとニーズの融合に向けて〜,シンポジウムセッション)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-4-26 ハイメサSIBH構造高信頼1.5μmDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)