須郷 満 | 日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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須郷 満
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
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東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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加藤 和利
NTTフォトニタス研究所
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加藤 和利
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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加藤 和利
Nttフォトニクス研究所
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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須郷 満
NTTフォトニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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福島 誠治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山本 ミツ夫
Nttエレクトロニクス(株)光半導体事業部
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田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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大木 明
NTTフォトニクス研究所
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福島 誠治
NTTフォトニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大木 明
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
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柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉村 了行
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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柴田 泰夫
NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤津 祐史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊藤 猛
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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天明 二郎
NTT物性研
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須郷 満
NTT光エレクトロニクス研究所
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天明 二郎
Ntt Opto-electronics Laboratories
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満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
天明 二郎
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
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倉持 栄一
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
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西谷 昭彦
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
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notzel richard
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
-
吉村 了行
Nttフォトニクス研究所
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山本 〓夫
Nttエレクトロニクス(株)
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天明 二郎
日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
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柴田 泰夫
Nttフォトニクス研究所
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Notzel Richard
Ntt Opto-electronics Laboratories
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上岡 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐々木 徹
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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倉持 栄一
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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倉持 栄一
Ntt物性研
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Noetzel R
Ntt 光エレクトロニクス研
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近藤 康洋
Nttフォトニクス研究所
-
Notzel Richard
Paul‐drude‐inst. Festkoerperelektronik Berlin Deu
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満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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玉村 敏昭
日本電信電話(株)NTT光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
日本電信電話 (株) 光エレクトロニクス研究所
著作論文
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- C-3-46 TO-Can型1芯双方向光モジュール(TO-BOSA)の開発(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 新しい光路調芯方法の提案とそれを用いたTO-Can型1芯双方向光通信モジュールの開発(光部品の実装・信頼性,一般)
- 新しい光路調芯方法の提案とそれを用いたTO-Can型1芯双方向光通信モジュールの開発(光部品の実装・信頼性,一般)
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- InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-13 高温特Ru添加SIBH-DFBレーザの長期安定動作の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-9 OBICを用いた半導体ファブリ・ペローレーザの摩耗故障の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-8 OBICモニタを用いたDFBレーザの内部劣化の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-3 光励起電流測定を用いた活性層近傍の濃度分析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-31 2.1-μm波長DFBレーザの長期安定動作の解析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 ギガビット直接変調スーパールミネッセントダイオード(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-4-26 ハイメサSIBH構造高信頼1.5μmDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- OCT用スーパールミネッセントダイオード(SLD)
- InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性)
- InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性)
- InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態(光部品の実装,信頼性)