天明 二郎 | 日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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天明 二郎
日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
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天明 二郎
NTT物性研
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天明 二郎
Ntt Opto-electronics Laboratories
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天明 二郎
NTT光エレクトリニクス研究所
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玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
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玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
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須郷 満
NTT光エレクトロニクス研究所
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大石 泰丈
Nttエレクトロニクス株式会社 光ファイバモジュール部
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山田 誠
NTT光エレクトロニクス研究所
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金森 照寿
NTT光エレクトロニクス研究所
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大石 泰丈
NTT光エレクトロニクス研究所
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西谷 昭彦
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
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西谷 昭彦
NTT光エレクトロニクス研究所
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倉持 栄一
Ntt物性研
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須藤 昭一
Ntt光エレクトロニクス研究所
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清水 誠
Nttエレクトロニクス株式会社
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倉持 栄一
NTT光エレクトロニクス研究所
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Bilodeau Francios
Canada Communication Research Centre
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Hill Kenneth
Canada Communication Research Centre
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西田 好毅
NTT光エレクトロニクス研究所
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天明 二郎
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
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notzel richard
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
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清水 誠
NTT光エレクトロニクス研究所
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Hill K.o.
Communications Research Center
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金森 照寿
NTTエレクトロニクス株式会社, 光ファイバモジュール部
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Notzel Richard
Ntt Opto-electronics Laboratories
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Bilodeau F.
Communications Research Center
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Noetzel R
Ntt 光エレクトロニクス研
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西田 好毅
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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Notzel Richard
Paul‐drude‐inst. Festkoerperelektronik Berlin Deu
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Notzel Richard
NTT光エレクトロニクス研究所
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倉持 栄一
NTT物性科学基礎研究所
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吉川 昭吉郎
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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山本 文彦
Nttアクセスサービスシステム研究所
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玉村 敏昭
Ntt物性科学基礎研究所:nttエレクトロニクス
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赤掘 裕二
Nttフォトニクス研究所
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須郷 満
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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Bilodeau F.
Canada Communication Research Centre
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Hill K.
Canada Communication Research Centre
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Bilodeau F
Canada Communication Research Centre
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Hill K.O.
Canada Communication Research Centre
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岡安 雅信
Ntt光エレクトロニクス研究所
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玉村 敏昭
Ntt物性科学基礎研究所
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赤堀 裕二
NTT光エレクトロニクス研究所
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倉持 栄一
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
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玉村 敏昭
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
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池田 睦夫
NTT光エレクトロニクス研究所
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大石 泰丈
日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
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須藤 昭一
日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
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大石 泰丈
NTT Opto-electronics Laboratories
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幸前 篤郎
NTTエレクトロニクス
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倉持 栄一
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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大石 泰丈
豊田工業大学大学院工学研究科極限材料専攻
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大石 泰丈
日本電信電話(株)ntt茨城電気通信研究所
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須藤 昭一
日本電信電話(株) Ntt先端技術総合研究所
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天明 二郎
電電公社武蔵野電通研
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倉持 栄一
Ntt物性基礎研:jst-crest
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玉村 敏昭
日本電信電話(株)NTT光エレクトロニクス研究所
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玉村 敏昭
日本電信電話 (株) 光エレクトロニクス研究所
著作論文
- 位置制御自己組織化成長法による三次元周期半導体構造
- 半導体結晶成長における自己集合化と自己組織化-GaAs(311)面上のInGaAsナノ構造形成-
- J-down狭放射角InGaAs/AlGaAs歪量子井戸LDの高出力特性
- 高出力波長安定化1.016μm歪InGaAs-LDモジュール
- 自己組織化InGaAs歪量子デイスクと半導体レーザ応用 (招待講演)
- 狭放射角InGaAs歪量子井戸レーザとコア拡大付FBGとの高効率結合
- GaAs(311) B基板上のInGaAs自己組織化現象と極微細レーザーへの応用
- ファイバブラッググレーテイングによる波長安定化1.016μmInGaAs歪量子井戸レーザと1.3μm帯Prドープ光ファイバ増幅器への応用
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプPDFAモジュールの開発
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- フルウェハプロセスによる高出力1.02μm InGaAs歪量子井戸レーザダイオード
- 高利得・1.3μm帯ファイバ型光増幅器
- 1.3μm帯Pr^添加ふっ化物ファイバ増幅器の増幅諸特性
- 高利得・半導体レーザ励起1.3μm帯光ファイバ増幅器
- 1.3μm 帯光ファイバー増幅
- 1.3μm 帯用光ファイバー増幅器の現状
- MOVPE法によるGaAs/AlGaAs高抵抗プレ-ナ選択埋込み型GRIN-SCHレ-ザ
- 密着露光法を用いたサブミクロン電極の製作と1.1GHz発振の検討