GaAs(311) B基板上のInGaAs自己組織化現象と極微細レーザーへの応用
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概要
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- 応用物理学会分科会日本光学会の論文
- 1996-08-10
著者
-
玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
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玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
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天明 二郎
NTT物性研
-
天明 二郎
NTT光エレクトリニクス研究所
-
須郷 満
NTT光エレクトロニクス研究所
-
倉持 栄一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
西谷 昭彦
NTT光エレクトロニクス研究所
-
Notzel Richard
NTT光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
Ntt Opto-electronics Laboratories
-
西谷 昭彦
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
-
notzel richard
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
-
Notzel Richard
Ntt Opto-electronics Laboratories
-
倉持 栄一
Ntt物性研
-
Noetzel R
Ntt 光エレクトロニクス研
-
Notzel Richard
Paul‐drude‐inst. Festkoerperelektronik Berlin Deu
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