ポリピロ-ル系複合導電性フィルム
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- シンクロトロン放射光によるポリイミドの屈折率制御と導波路回折格子作製法への応用
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- 位置制御自己組織化成長法による三次元周期半導体構造
- 放射光照射によるポリイミド光導波路回折格子の作製
- 半導体結晶成長における自己集合化と自己組織化-GaAs(311)面上のInGaAsナノ構造形成-
- J-down狭放射角InGaAs/AlGaAs歪量子井戸LDの高出力特性
- 高出力波長安定化1.016μm歪InGaAs-LDモジュール
- フラ-レンC60複合化レジストを用いた極微細パタン形成技術
- 偏波無依存LD型光ゲートスイッチ
- 自己組織化InGaAs歪量子デイスクと半導体レーザ応用 (招待講演)
- 電子線描画ポリイミド光導波路の特性
- 狭放射角InGaAs歪量子井戸レーザとコア拡大付FBGとの高効率結合
- 半導体モノリシックAdd-Drop-Multiplexer
- GaAs(311) B基板上のInGaAs自己組織化現象と極微細レーザーへの応用
- ファイバブラッググレーテイングによる波長安定化1.016μmInGaAs歪量子井戸レーザと1.3μm帯Prドープ光ファイバ増幅器への応用
- 半導体モノリシック選択波長ルーター
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- フルウェハプロセスによる高出力1.02μm InGaAs歪量子井戸レーザダイオード
- 偏波無依存ゲート型光スイッチ
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 熱制御型SSG-DBRレーザによる狭線幅、広域波長可変動作
- 29p-J-7 ナイスケール加工とデバイス
- 量子効果デバイスの研究
- ポリピロ-ル系複合導電性フィルム
- シリコン系レジスト材料 (シリコン系高分子)
- 2p-D4-10 ナノメータ領域の加工技術(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)