自己組織化InGaAs歪量子デイスクと半導体レーザ応用 (招待講演)
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概要
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最近、自己組織化を中心とする自然形成法で従来に比べ品質の良い量子ドットが得られることが明らかになり、単に結晶成長のトピックスにとどまらず壁にあたっていたこの低次元系研究分野の一つのブレークスルーと認識されつつある。本稿では、我々が3年前発見したGaAs(311)B面上での歪InGaAs系自己組織化現象とその結果形成される歪量子ディスクを活性層とするレーザの室温CW特性を簡単に紹介し、それらをもとに光デバイス応用では従来成長が困難と思われていた新しい歪材料系での自然形成法の役割の重要性を指摘し、今後を展望する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-08
著者
-
玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
NTT物性研
-
天明 二郎
NTT光エレクトリニクス研究所
-
須郷 満
NTT光エレクトロニクス研究所
-
倉持 栄一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
西谷 昭彦
NTT光エレクトロニクス研究所
-
Notzel Richard
NTT光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
Ntt Opto-electronics Laboratories
-
西谷 昭彦
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
-
notzel richard
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
-
Notzel Richard
Ntt Opto-electronics Laboratories
-
倉持 栄一
Ntt物性研
-
Noetzel R
Ntt 光エレクトロニクス研
-
Notzel Richard
Paul‐drude‐inst. Festkoerperelektronik Berlin Deu
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