フルウェハプロセスによる高出力1.02μm InGaAs歪量子井戸レーザダイオード
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概要
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次期光ファイバ通信技術のキーデバイスとして、1.3μm帯光ファイバ増幅器、特にPrドープファイバアンプ(PDFA)の開発が進められている。このPDFAモジュールの励起光源としては1.02μm angoes歪量子井戸レーザダイオード(LD)が用いられている。しかし現段階ではPDFの励起効率が低いため、励起光源としての1.02μm InGaAsLDの一層の高出力化、高信頼化、とともにLD素子の経済化が望まれている。そこで我々は、これまで開発してきたLDの素子構造を基にして、均一性と再現性の高いフルウェハプロセスでLD素子を製作した。試作の結果、出力ビームの放射角を低減させたことにより高いファイバ内結合出力が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
NTT物性研
-
天明 二郎
NTT光エレクトリニクス研究所
-
須郷 満
NTT光エレクトロニクス研究所
-
倉持 栄一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
西谷 昭彦
NTT光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
Ntt Opto-electronics Laboratories
-
西谷 昭彦
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
-
倉持 栄一
Ntt物性研
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