J-down狭放射角InGaAs/AlGaAs歪量子井戸LDの高出力特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
1.55/1.3μm帯光ファイバ増幅器用 InGaAs 半導体励起光源の高出力化が各種方式から望まれている。そのためにはLDチップ空間高光出力とモードの安定性が懸念される高出力時での SMF との高効率光結合が重要である。本報告では、InGaAs/AlGaAs歪量子井戸リッジレーザの狭放射角化並びにそのチップマウント法の最大光出力並びに横モード安定性に及ほす影響について実験的検討を行った結果を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
NTT物性研
-
天明 二郎
NTT光エレクトリニクス研究所
-
須郷 満
NTT光エレクトロニクス研究所
-
天明 二郎
Ntt Opto-electronics Laboratories
-
天明 二郎
日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所
関連論文
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 20pTA-5 Auマイクロキャピラリーターゲットを通過した低速多価イオンの高分解能軟X線分光 II
- シンクロトロン放射光によるポリイミドの屈折率制御と導波路回折格子作製法への応用
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- 位置制御自己組織化成長法による三次元周期半導体構造
- 放射光照射によるポリイミド光導波路回折格子の作製
- 半導体結晶成長における自己集合化と自己組織化-GaAs(311)面上のInGaAsナノ構造形成-
- J-down狭放射角InGaAs/AlGaAs歪量子井戸LDの高出力特性
- 高出力波長安定化1.016μm歪InGaAs-LDモジュール
- フラ-レンC60複合化レジストを用いた極微細パタン形成技術
- 偏波無依存LD型光ゲートスイッチ
- 自己組織化InGaAs歪量子デイスクと半導体レーザ応用 (招待講演)
- 電子線描画ポリイミド光導波路の特性
- 狭放射角InGaAs歪量子井戸レーザとコア拡大付FBGとの高効率結合
- 半導体モノリシックAdd-Drop-Multiplexer
- GaAs(311) B基板上のInGaAs自己組織化現象と極微細レーザーへの応用
- ファイバブラッググレーテイングによる波長安定化1.016μmInGaAs歪量子井戸レーザと1.3μm帯Prドープ光ファイバ増幅器への応用
- 半導体モノリシック選択波長ルーター
- C-3-117 Si/SiO_2系フォトニック結晶偏光分離素子
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプPDFAモジュールの開発
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- フルウェハプロセスによる高出力1.02μm InGaAs歪量子井戸レーザダイオード
- 高利得・1.3μm帯ファイバ型光増幅器
- 1.3μm帯Pr^添加ふっ化物ファイバ増幅器の増幅諸特性
- 高利得・半導体レーザ励起1.3μm帯光ファイバ増幅器
- 1.3μm 帯光ファイバー増幅
- 1.3μm 帯用光ファイバー増幅器の現状
- 29p-E-5 フォトニック結晶の異方性分散応用 : レンズ・コリメータ現象
- 偏波無依存ゲート型光スイッチ
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-44 / CPM2000-59 / OPE2000-56 / LQE2000-50 格子変調型フォトニック結晶導波路の解析と作製
- 28a-ZE-6 フォトニック結晶中の異常光伝播 : セルフコリメーション
- C-3-113 フォトニック結晶のPLC応用へ向けて-μLC
- フォトニック結晶のPLC応用に向けて : スーパープリズム現象
- MOVPE法によるGaAs/AlGaAs高抵抗プレ-ナ選択埋込み型GRIN-SCHレ-ザ
- 密着露光法を用いたサブミクロン電極の製作と1.1GHz発振の検討
- 製品技術紹介 220mW980nm半導体レーザ--光ファイバ増幅器励起用光源の高性能化に向けて
- 熱制御型SSG-DBRレーザによる狭線幅、広域波長可変動作
- 29p-J-7 ナイスケール加工とデバイス
- Si基板上長波長帯レ-ザ (半導体光集積回路の研究)
- 量子効果デバイスの研究
- ポリピロ-ル系複合導電性フィルム
- シリコン系レジスト材料 (シリコン系高分子)
- 25aYE-2 量子ドット励起子のラビ振動とコヒーレント操作(25aYE 領域5シンポジウム主題:半導体量子ドットの光励起コヒーレンス-量子コヒーレンスの制御をめざして-,領域5(光物性分野))
- 2p-D4-10 ナノメータ領域の加工技術(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)