密着露光法を用いたサブミクロン電極の製作と1.1GHz発振の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Attempts to achieve higher UHF and microwave surface acoustic wave interdigital transducers (SAWIDT's) have led to fabrication techniques such as optical direct projection, electron beam and X-ray lithography. Where multiple copies of transducers are required, optical contact printing is simple and advantageous. This paper describes the successful fabrication of 0. 7 μm linewidth SAW IDT's by conventional photographic contact printing and the characteristics of the 0. 7 μm linewidth SAW filter and 1. 1 GHz SAW delay line oscillator. Experimental conditions ; photomasks (Table 1 and Fig. 1), IDT pattern, photo resist, mask alignment and photo process are described. Problems of submicron linewidth formation by contact printing are discussed from both the experimental and theoretical point of view. It was found that the most important factor is a good contact between photomask and substrate. Diffraction of ultraviolet light takes place when the contact is poor. Experimentally, a small gap cannot be avoided (the average gap width is about 2 μm in our experiment), but, by using the SAW transducer pattern in Fig. 1 (d) which decreases the influence of diffraction, in comparison with pattern No. C-1 in Fig. 1(c), we have successfully obtained 0. 7 μm linewidth SAW IDT's (Fig. 9). 0. 7 μm linewidth transducers were made using ST-quartz substrate. The transducers and the chip pattern are showed in Fig. 2. The electrode is 50 nm aluminum metallization. The frequency characteristic of this filter are given in Fig. 13. The 1. 1 GHz SAW delay line oscillator shown in Fig. 14(a) consists of a 0. 7 μm linewidth SAW filter and an amplifier. 1. 1 GHz spectrum of this oscillator is shown in Fig. 14 (b). The short term stability (gate time=1 sec) is 8×10^<-8> . In conclusion, it was found that conventional photolithographic contact printing is an important fabrication technique by which SAW devices can be economically produced which operate above 1 GHz.
- 社団法人日本音響学会の論文
- 1977-10-01
著者
関連論文
- 弾性表面波トランスジューサのパルス応答特性
- 直方体残響室における2点間音圧相関係数
- 位置制御自己組織化成長法による三次元周期半導体構造
- 半導体結晶成長における自己集合化と自己組織化-GaAs(311)面上のInGaAsナノ構造形成-
- J-down狭放射角InGaAs/AlGaAs歪量子井戸LDの高出力特性
- 高出力波長安定化1.016μm歪InGaAs-LDモジュール
- 自己組織化InGaAs歪量子デイスクと半導体レーザ応用 (招待講演)
- 狭放射角InGaAs歪量子井戸レーザとコア拡大付FBGとの高効率結合
- GaAs(311) B基板上のInGaAs自己組織化現象と極微細レーザーへの応用
- ファイバブラッググレーテイングによる波長安定化1.016μmInGaAs歪量子井戸レーザと1.3μm帯Prドープ光ファイバ増幅器への応用
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプPDFAモジュールの開発
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- フルウェハプロセスによる高出力1.02μm InGaAs歪量子井戸レーザダイオード
- 高利得・1.3μm帯ファイバ型光増幅器
- 1.3μm帯Pr^添加ふっ化物ファイバ増幅器の増幅諸特性
- 高利得・半導体レーザ励起1.3μm帯光ファイバ増幅器
- 1.3μm 帯光ファイバー増幅
- 弾性表面波チャープフィルタを用いたスペクトル分析回路
- 最大平坦な周波数温度特性をもつ弾性表面波発振器
- 同一の電極パタ-ンをもった複数個の弾性表面波共振器を用いた温度補償発振器
- 重み付け損失を軽減した弾性表面波フィルタ
- 線形計画法による弾性表面波フィルタの設計
- 線形計画法による弾性表面波フィルタの合成
- マイクロ波帯の超音波技術--弾性表面波素子の研究の動向
- 1.3μm 帯用光ファイバー増幅器の現状
- 多重共振系の周波数特性の制御に関するモデル的考察
- 簡易無響室の吸音壁構造に関する検討
- MOVPE法によるGaAs/AlGaAs高抵抗プレ-ナ選択埋込み型GRIN-SCHレ-ザ
- ホノンエコー : 新しい音波物性とその応用I(連続3回)
- 標準マイクロホンの音圧校正における誤差
- 電気音響の現状と将来
- 密着露光法を用いたサブミクロン交さ指電極パタ-ン形成
- 多対ITDを用いた1端子対弾性表面波共振器とその狭帯域フィルタへの応用
- 多対IDTの結合モ-ド解析
- 多対IDTを用いた2端子対弾性表面波共振器
- 密着露光法を用いたサブミクロン電極の製作と1.1GHz発振の検討
- 位相符号形トランスジュ-サを用いた弾性表面波フィルタの設計
- 多対IDTを用いた弾性表面波共振器の解析とその応用
- 多対電極構成をもつ弾性表面波フィルタの設計
- 各研究分野15年の歩みと将来への展望 : 電気音響研究 (<小特集>創立40周年記念特集)
- 弾性表面波デバイスの挿入損失について : 近似式の適用限界
- チタン合金を用いた広帯標準コンデンサ・マイクロホン
- 音響機器用振動板の製作に対する電鋳法の応用について
- 電気音響変換のパラメータが複素領域で変化する場合の動作減衰量
- 応用面から見た弾性表面波素子
- 弾性表面波とその応用
- 金属製球殻を用いた音場測定用音源とその近接放射音場について