InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAsとInPの間で格子定数を選択できるInGaAs基板はレーザ構造の設計自由度が高く、高温まで動作するレーザのための基板として期待されている。我々は結晶性向上と大面積化を目指したTraveling Liquidus-Zone(TLZ)法によるInGaAs基板成長技術開発とこの基板を用い高歪InGaAs量子井戸を活性層とした波長1.3μmレーザの検討を行ってきた。今回は低In組成のInGaAs基板上に単一横モードリッジレーザを作製し、動特性評価を行った。10Gbpsの明瞭なアイ開口を確認し、シングルモードファイバを通して20kmのエラーフリー伝送を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
-
依田 眞一
(独)宇宙航空研究開発機構
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構
-
依田 真一
宇宙航空研究開発機構
-
依田 真一
JAXA
-
荒井 昌和
NTTフォトニクス研
-
川口 悦弘
NTTフォトニクス研
-
近藤 康洋
NTTフォトニクス研
-
木下 恭一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
湯田 正宏
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
-
依田 真一
Japan Aerospace Exploration Agency
-
依田 眞一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
依田 真一
宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター
-
依田 真一
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ
-
依田 眞一
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)
関連論文
- 23aHY-8 金属および合金系の過冷却と均質核形成(23aHY 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 氷の結晶成長における形態不安定化 : ISS「きぼう」実験の概要
- ボロン融体の表面張力と粘性測定
- 微小重力下の強制流動沸騰熱伝達に関する軌道上実験の提案
- 25aA01 飽和溶融帯移動法における成長速度の数値解析(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 29pXE-1 液体ジルコニウムの原子間ポテンシャルと輸送物性(29pXE 液体金属(単元素),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21aYK-10 過冷却液体ジルコニウムの静的構造II(液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 24pYQ-5 過冷却液体ジルコニウムの静的構造(液体金属・結晶・クラスター,領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
- 静電浮遊装置による金属および合金液体の過冷却研究
- 27aYB-2 共晶液体合金系の物性異常と過冷却能(液体金属,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 共晶合金系の均一液相の過冷却挙動
- TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
- (第3回宇宙利用の科学に関する国際会議)開催報告
- 宇宙授業のパイオニア毛利宇宙飛行士の理科実験
- 「きぼう」におけるファセット的セル状結晶成長実験
- 速報 : 「きぼう」での FACET 実験
- 氷の結晶成長におけるパターン形成 : ISS-KIBO実験報告
- 混晶育成における組成均一性と組成的過冷却
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 2. 日本および海外における微粒子プラズマの微小重力実験の現状(微小重力環境を利用したプラズマプロセスへの誘い)
- タンパク質結晶の品質に及ぼす不純物の影響(バイオ・有機材料研究の最新動向)
- 無容器法を用いた高屈折率ガラスの探索
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法により育成したφ2mmSi_Ge_均一組成単結晶の結晶学的特性の評価
- TEXUSロケット搭載用燃焼実験装置の開発
- 3424 溶融スズによる低Pr流体の液柱マランゴニ対流(S89-2 微小重力・宇宙環境利用(2),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 溶融塩電解による酸素ガス発生反応の基礎的研究
- 13pTL-13 酸素欠損した六方晶 BaTiO_3 単結晶の誘電特性 (III)(誘電体, 領域 10)
- 29pXK-10 無容器法により凝固した透明六方晶BaTiO_3の巨大誘電率II(誘電体)(領域10)
- 22pXA-5 無容器法により凝固した透明六方晶 BaTiO_3 の巨大誘電率
- 低Pr数流体液柱マランゴニ対流の第一遷移の観察(オーガナイズドセッション4 材料創成プロセスと熱工学)
- 低Pr数流体液柱の振動マランゴニ対流遷移過程の実験研究
- 低プラントル数流体のマランゴニ対流流れ場可視化技術の開発(2)
- 低プラントル数流体のマランゴニ対流流れ場可視化技術の開発
- Pr=0.01流体のマランゴニ対流実験研究(6) : 超音波による溶融金属内部流れ計測用トレーサー粒子の開発
- Pr=0.01流体のマランゴニ対流実験研究(5) : 温度測定による振動流遷移過程の検討
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone) 法による均一組成Si_Ge_単結晶成長
- 25aA07 In_xGa_As結晶成長における過冷却と過飽和(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による均一組成SiGe結晶成長
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 3418 静電浮遊法による高融点金属融体の熱物性計測(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 静電浮遊法による溶融CaF_2の熱物性測定法の開発
- 静電浮遊法による溶融CaF_2の密度測定
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による均一組成In_Ga_As単結晶育成(微小重力環境を利用した結晶成長)
- 微小重力場における均質組成InGaAsの結晶育成
- 溶液内の溶質濃度勾配緩和におよぼす重力加速度の影響
- Traveling Liquidus-Zone (TLZ) 法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察
- Traveling Liquidus-Zone 法で成長するバルクInGaAsの単結晶化メカニズムの検討
- 26aA09 溶液流れによるタンパク質結晶品質向上のメカニズム(バイオ有機(2),第34回結晶成長国内会議)
- InAs-GaAs相互拡散係数測定時における砒素抜け防止対策
- 板状In_Ga_As結晶成長とIn_xGa_As/In_Ga_As歪量子井戸の形成
- 3420 飽和溶融帯移動法における二次元性低減に関する検討(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 3419 飽和溶融帯移動法(TLZ法)結晶成長における融液内対流抑制の重要性(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 17aA07 In_xGa_As板状結晶の育成と基板としての品質評価(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- TLZ (Traveling Liquidus-Zone) 法によるIn_Ga_As板状結晶の育成
- 混晶系結晶成長における過冷却と過飽和
- 静電浮遊法による高温金属液体の構造解析 (Thermo-physical and atomic transport properties of liquid metals related to the experiments under microgravity)
- 静電浮遊法による高温金属液体の構造解析
- 傾斜濃度法による均一組成In_XGa_As単結晶の育成-地上予備実験-
- シアーセル法による拡散実験のガラス封止技術
- 均質組成化合物半導体単結晶育成法の検討
- Effects of gravity on Marangoni flow in liquid bridge of molten Tin
- 溶融錫の微細な液柱内の振動型マランゴニ対流
- タンパク質結晶成長研究における化学固定法の利用
- リゾチーム結晶成長における不純物の影響
- 高品質タンパク質結晶成長に及ぼす不純物の影響に関する研究
- 26aA08 化学固定したタンパク質結晶による核形成促進(バイオ有機(2),第34回結晶成長国内会議)
- In_Ga_xAs結晶成長における組成的過冷却(半導体結晶成長I)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による混晶系化合物半導体(In_XGa_As)の高精度組成制御
- TLZ法における数値解析の信頼性検討と温度勾配の推定
- 結晶成長実験における試料内部温度分布測定
- 2144 マイクロ蛍光 PTV を用いた表面流速の測定
- ESPI法を用いた鏡面反射面における面外変形測定
- 不純物拡散層仮説の検証
- 28pXG-10 マランゴニ対流における周期構造の形成(28pXG 渦・安定性・その他,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 環状マランゴニ対流におけるパターン形成
- 3423 高プラントル数流体の臨界マランゴニ数に関する考察(S89-2 微小重力・宇宙環境利用(2),S89 微小重力・宇宙環境利用)
- 液滴振動法による物性計測に及ぼす液滴挙動の影響(オーガナイズドセッション5 熱物性とその計測法)
- B233 液柱マランゴニ対流振動流遷移のモデル化
- A231 溶融錫液柱内の振動型マランゴニ対流の開始条件
- 13aZA-3 三体力を考慮した分子動力学計算によるゲルマニウム液体の構造と拡散 II(液体金属, 領域 6)
- 28aWK-2 三体力を考慮した分子動力学計算によるゲルマニウム液体の構造と拡散(液体金属・イオン性液体・分子性液体)(領域6)
- 24pYR-8 六方晶チタン酸バリウムの誘電率測定における電極の影響(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 19aB03 Aerodynamic浮遊炉による球状Al_2O_3単結晶の育成(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
- 静電浮遊炉による酸化物の過冷凝固 (II)
- AM06-14-008 環状セルにおけるマランゴニ対流の周方向パターン形成(対流(2),一般講演)
- 26aA07 包埋法の開発 : タンパク質結晶の新規加工法(バイオ有機(2),第34回結晶成長国内会議)
- 共焦点レーザー顕微鏡を用いたタンパク質結晶中蛍光ラベル化不純物分布の観察(バイオクリスタルII)
- タンパク質結晶成長に及ぼす多孔質ガラス基板の影響(バイオクリスタルI)
- 静電浮遊炉による溶融タングステンの熱物性計測
- 静電浮遊法による高温融体の熱物性測定(オーガナイズドセッション5 熱物性とその計測法)
- 無容器によるルテニウムの液体の熱物性値測定
- 静電浮遊炉を用いた熱物性測定
- フォトクロミック法を用いたマランゴニ対流の表面流速測定
- 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 液体金属合金の均一液相の過冷却 : Ni-Nb系均一液相の共晶組成近傍の小さな過冷却現象
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))