C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
-
高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
高畑 清人
Ntt フォトニクス研
-
金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
高畑 清人
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
関連論文
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-16 VOA内蔵10Gb/s-APD光受信器の特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- R&Dホットコーナー ソリューション 100ギガビットイーサネット用変調器集積光源
- R&Dホットコーナー ソリューション 低消費電力1.55μm EADFBレーザ
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-3-108 波長制御機能付き1.55μm帯4ch×2.5Gbps SS-DFBレーザモジュール
- C-4-15 非対称周期構造を有する波長可変分布活性DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-33 DFBアレイ波長選択光源(TLA)の高出力高信頼動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- 波長可変DFBレーザアレイ(TLA)の狭線幅化(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- B-10-78 フォトニック時間領域アッド・ドロップ多重器(B-10. 光通信システムB(光通信))
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- C-4-27 差動駆動直接変調DFBレーザによる25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 直接変調DFBレーザのフリップチップ実装に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-43 PLCハイブリッド集積技術を用いた8ch×2.5Gbit/s多波長送信・受信ボード
- C-4-14 高速VOAを搭載した10Gb/s-APD光受信モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-15 光・ミリ波エミッタモジュールを用いた60GHz帯PSKサブキャリア伝送
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- CS-5-5 MZ変調器集積波長可変レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-3-54 npin構造InPマッハツェンダ光変調器の温度無依存駆動(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-107 モニタPDを集積したハイブリッド外部共振器レーザ(2)
- B-5-224 60GHz帯モノリシック光・ミリ波エミッターの広帯域化
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 デュアルドライブInP半導体MZMを用いた16QAM変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-5 高速変調EADFBレーザのフリップチップ実装(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 超高速イーサネット用変調器集積光源 (特集 フォトニックネットワークに貢献する光半導体技術)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源 (光エレクトロニクス)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源 (光通信システム)
- C-4-9 100GbE用次世代トランシーバ向け超小型TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-53 InP DP-QPSK変調器(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-3-33 100GbE向けモノリシック集積光源高出力化のためのInPトランスバーサル・フィルタの透過特性(パッシブデバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-2 超低消費エネルギーで動作する電流注入フォトニック結晶レーザ(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 偏波多重を用いた小型100GbE用光送信モジュール(TOSA)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-14 フリップチップ接続EADFBレーザアレイモジュールの28 Gbit/s×4ch動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-35 SOAを用いた4レーンー括増幅による100GbE用TOSAの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-17 1.3μm InGaAIAsリッジ型直接変調レーザの50Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-2 100 Gbps級光パケットスイッチ実現に向けた電界吸収型変調器を集積した並列リング共振器波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-49 モノリシック集積光源用の小型MUXのための反射型InPトランスバーサルフィルタ(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-10 28Gbit/s級ドライバ回路実現に向けたプリエンファシス機能の基本検討(C-10.電子デバイス)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- InGaAlAs EAMを集積した並列リング共振器型波長可変レーザによる25 Gbit/s波長ルーティング型光パケットスイッチ(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- InGaAlAs EAMを集積した並列リング共振器型波長可変レーザによる25 Gbit/s波長ルーティング型光パケットスイッチ(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- InGaAlAs EAMを集積した並列リング共振器型波長可変レーザによる25 Gbit/s波長ルーティング型光パケットスイッチ(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)