100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)

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概要

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• 中、長距離用の100Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3μm帯の電界吸収型変調器集積レーザを開発した。1.3μm帯での大きな消光比を確保するために、従来のInGaAsP系材料では無く、伝導帯バンドオフセットの大きなInGaAlAs系の材料を用い、また、引張歪の量子井戸を採用している。レーザと変調器部はバットジョイント構造を用いて結合し、それぞれの層構造の最適化を独立に行うことができるようにしている。作製した素子を実装したモジュールの小信号3dB帯域は33GHzであり、それを用いて、40℃において伝送速度25Gbit/s、シングルモードファイバ上での10、40km伝送を達成したのでここで報告する。

• 2010-01-21

著者

• 荒井 昌和

  NTTフォトニクス研

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Ntt

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

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