C-4-3 狭間隔波長可変分布活性(TDA-)DFBレーザアレイによる高速(<1μs)・高精度(<1GHz)波長切替(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-03-05
著者
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
布谷 伸浩
Nttフォトニクス研究所
-
金井 拓也
日本電信電日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
布谷 伸浩
話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
下小 園真
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
関連論文
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 1.55μm帯埋込み型VCSELの熱解析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-58 モノリシック集積型WDM用8ch光変調素子の80Gb/sスループット動作(光モジュール)(C-3.光エレクトロニクス)
- モノリシック集積型多チャンネル変調素子(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 波長可変レーザとInPマッハツェンダ変調器をハイブリッド集積した全C帯40Gbit/s DPSK波長可変送信モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- C-4-27 差動駆動直接変調DFBレーザによる25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 直接変調DFBレーザのフリップチップ実装に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-23 マイクロ波反射制御回路を用いたEA変調器の高性能化(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- モノリシック集積型多チャンネル変調素子(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- モノリシック集積型多チャンネル変調素子(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- モノリシック集積型多チャンネル変調素子(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-3-3 モノリシック集積型多チャンネル光変調素子の 2.5Gbps 動作
- 160GHzアクティブモード同期半導体レーザーとその光クロック信号再生への応用
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 高温特Ru添加SIBH-DFBレーザの長期安定動作の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-8 OBICモニタを用いたDFBレーザの内部劣化の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-3-54 npin構造InPマッハツェンダ光変調器の温度無依存駆動(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-4-26 ハイメサSIBH構造高信頼1.5μmDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-41 40Gbit/s InP系n-i-n構造MZ変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-24 半導体モード同期レーザを用いた160GHz光クロック信号再生(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-16 低チャープ動作の40Gbit/s EA-DFBモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- パッシブ導波路を有するモノリシック集積型EA-SOA
- パッシブ導波路を有するモノリシック集積型EA-SOA
- パッシブ導波路を有するモノリシック集積型EA-SOA
- パッシブ導波路を有するモノリシック集積型EA-SOA
- SC-9-4 半導体埋込層を有する電界吸収型 (EA) 変調器のマイクロ波・光変調シミュレーション
- SC-9-4 半導体埋込層を有する電界吸収型 (EA) 変調器のマイクロ波・光変調シミュレーション
- SC-2-8 EA変調器及びEA変調器集積DFBレーザの高速化と低電圧化
- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-1 0.79 V動作40-Gbit/s電界吸収型変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 160GHzアクティブモード同前半導体レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- C-4-39 160GHz アクティブモード同期半導体レーザ
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 デュアルドライブInP半導体MZMを用いた16QAM変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-12 モードホップフリー波長可変レーザによる疑似アサーマル波長動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 1.3μm InGaAIAsリッジ型直接変調レーザの50Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-3 狭間隔波長可変分布活性(TDA-)DFBレーザアレイによる高速(
- CS-5-2 多粒子系の量子力学に基づく半導体量子構造光学特性解析技術(CS-5.光導波路・光デバイスシミュレーション技術の最新動向と今後の展望)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- C-4-19 高速な高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)