パッシブ導波路を有するモノリシック集積型EA-SOA
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概要
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バットジョイント選択成長法を用いて, 電界吸収型(EA)光変調器と光半導体増幅器(SOA)をパッシブ導波路により接続したモノリシック集積型EA-SOAを作製し, 32dBの高い消光比とファイバ間での損失補償動作を実現した.またモジュールにおいて, 10Gbit/sでの明瞭なアイ開口を確認した.本構造はパッシブ導波路の集積により構造の異なった複数の光素子を容易に接続できるだけでなく, アレイ導波路回折格子(AWG)などを集積した高機能光回路への発展が期待できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-17
著者
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
岡本 浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
須崎 泰正
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 進
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:新潟国際情報大学
-
浅香 航太
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
奥 哲
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
野口 悦男
NTT光エレクトロニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
野口 悦男
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
野口 悦男
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス株式会社
-
浅香 航太
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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