Butt-Joint型選択成長スポットサイズ変換付き1.3μmLD
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概要
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半導体レーザのビーム放射角を狭搾化したスポットサイズ変換付きレーザは、レンズ系を使用せずにレーザと光ファイバ等との結合効率を向上させ、モジュール製造時のアライメント精度を緩和するのに有効であり、近年、活発に研究がすすめられている。これらのスポットサイズ変換部の構造は、選択成長を用いた導波路層厚制御による垂直方向のテーバ構造と、エッチングを用いた導波路幅制御による水平方向のテーパ構造とがある。特に、選択成長によるテーパ構造は、結晶成長により層厚が指数関数的に変化するテーパが容易に形成できる。ここでは、活性領域とスポットサイズ変換領域が独立に最適化できるButt-Joint成長と、選択成長を組み合わせた、スポットサイズ変換付きLDを提案し、良好な光出力特性、及びFFP(透視野像)を得ると共に、レンズを介さずにファイバと約1dBの低損失な結合が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
岡本 稔
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
中尾 正史
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT光エレクトロニクス研究所
-
東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
須崎 泰正
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
-
山本 〓夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
三富 修
NTT光エレクトロニクス研究所
-
和田 正人
NTT光エレクトロニクス研究所
-
界 義久
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
中尾 正史
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
三冨 修
NTT光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT光ネットワークシステム研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
山本 〓夫
Nttエレクトロニクス(株)
-
界 義久
NTTフォトニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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