1.3μm Butt-Joint型スポットサイズ変換LDの温度特性改善のための検討
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概要
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半導体レーザ(LD)の出射光ビームスポット径を拡大したスポットサイズ変換LDは、LDと光ファイバ等との結合の際、レンズなどを用いずに高い結合効率が得られ、同時にアライメント精度も緩和できるという利点があり、モジュール製造の簡易化のための重要な技術として注目されている。スポットサイズ変換の方法としては、導波路幅の狭幅化や選択成長によるテーパ導波路の作製が行われているが、我々はButt-Joint成長技術と選択成長を組み合わせることにより、層厚方向にテーパ構造を有するバルク導波路とLD構造とを独立に最適化できる1.3μmスポットサイズ変換LDを試作し、分散シフトファイバとの結合損失〜1dBを実証した。今回、温度特性の改善に向けてLD部活性層の検討を行い、温度特性を評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
岡本 稔
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT光エレクトロニクス研究所
-
東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
須崎 泰正
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
-
山本 〓夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT光ネットワークシステム研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
山本 〓夫
Nttエレクトロニクス(株)
-
関 俊司
NTT光エレクト ロニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
関 俊司
NTTフォトニクス研究所
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