導波路型pin-PDを用いた2チャネル受信用OEICの10Gbit/s動作

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 高効率で高速光信号が受信可能な導波路型pinフォトダイオードとHEMTで構成したプリアンプとをモノリシック集積した2チャネル受信用OEICを試作した。本OEICは2インチウエハ面内で良い均一性を示し、その3dB遮断周波数帯域は8.0GHz、トランスインピーダンスは155Ωであった。また、クロストークは10GHzまでの帯域で-20dB以下に抑えられていた。10Gbit/sNRZ光信号に対する受信感度は両チャネルでそれぞれ、-16.1dBm、-15.3dBmと良好な結果を得た。これは、受信用アレイOEICの動作報告としては最高速のものである。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-07-20

著者

• 村本 好史

  Nttフォトニクス研究所

• 板屋 義夫

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 赤津 祐史

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤掘 裕二

  Nttフォトニクス研究所

• 高畑 清人

  Ntt フォトニクス研

• 幸前 篤郎

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 高畑 清人

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 村本 好史

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 赤津 祐史

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 赤掘 裕二

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 幸前 篤郎

  NTTエレクトロニクス

関連論文

• BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
• 2インチInP基板上に作製したバットジョイント選択成長スポットサイズ変換レーザの均一性
• Butt-Joint型選択成長スポットサイズ変換付き1.3μmLD
• BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
• C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-14-13 SLD光源を用いた高画質ミリ波イメージング(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-14-7 ゼロバイアス送受信器による300GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 光加入者系ゼロバイアス駆動LDの閾値電流, スロープ効率に対する要求条件 : 発振遅れ時間, 動作電流を考慮した設計チャート
• C-14-4 フォトダイオードをダウンコンバータに利用した300GHz帯ホモダイン検波システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
• 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
• 単一走行キャリア端面入射屈折型フォトダイオード
• 1V_出力40 Gbit/sモノリシック受信OEIC
• SC-3-3 マルチモードWGPDと分布型増幅器で構成した40Gbit/s受信OEIC
• C-3-86 50Gbit/sモノリシック受信OEICモジュール
• 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
• 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
• C-14-9 インコヒーレントノイズ源を用いたミリ波イメージングシステム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-14-3 フォトニクス技術を用いた300 GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-3-1 光周波数コム発生器を用いた10-110GHz周波数可変ミリ波発生
• 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
• 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
• B-5-146 60GHz帯ファイバ無線用モノリシック集積化ミリ波エミッター
• InGaAs/InGaAsP二層構造電極層を備えた高抵抗埋め込みレーザ
• 110GHz動作マッシュルーム構造導波路型pinフォトダイオード
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• 深い拡散による光ハイブリッド実装用プレーナ導波路型フォトダイオード(SIMPLE-WGPD)の低電圧化
• 光ハイブリッド実装用高効率プレーナ導波路型pinフォトダイオード
• スポットサイズ変換付き1.3μmLDの結合特性
• MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作
• C-14-14 インコヒーレントテラヘルツ波発生の高効率化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-3-48 集積型コヒーレント受信光フロントエンドモジュール技術(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 高速歪み量子井戸InGaAsP光変調器/DFBレーザ集積化光源
• スポットサイズ変換レーザ
• C-14-15 ショットキーバリアダイオードを用いたテラヘルツ連続波分光イメージングシステムの高速化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• 1.3μm Butt-Joint型スポットサイズ変換LDの温度特性改善のための検討
• 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
• 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
• 石英導波路に作製したUV誘起グレーティングとスポットサイズ変換LDを用いたハイブリッド集積レーザ
• 2.通信用光デバイス (化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発)
• 高結合効率、広トレランス導波路型フォトダイオード
• 光ハイブリッド実装用1.3μm導波路型フォトダイオード
• B-5-224 60GHz帯モノリシック光・ミリ波エミッターの広帯域化
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD-III
• PLCプラットフォームを用いたハイブリッド光集積技術の現状と展望
• PLCプラットフォームを用いたハイブリッド光集積技術の現状と展望
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (光エレクトロニクス)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (フォトニックネットワーク)
• 導波路型単一走行キャリアフォトダイオードを用いたミリ波の光伝送
• 1580-1600nm帯広波長帯域WDM用EA変調器集積DFBレーザ
• 40 Gbit/s 導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
• 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
• 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
• 30Gbit/s導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
• ハイブリッド集積光モジュ-ル用光半導体技術 (特集論文 光アクセスシステム用部品経済化技術)
• 低電圧光ハイブリッド実装用高効率導波路型フォトダイオード
• 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD-II
• 2インチ基板上に作製したスポットサイズ変換機能付きLD
• スポットサイズ変換レーザ
• 光加入者システム用光モジュール
• BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
• C-14-13 300GHz帯無線リンクにおけるダイオード受信器の感度特性(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-14-12 300GHz帯無線システムを用いた14Gbps伝送実験(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-4-29 単一走行キャリア端面人射屈折型フォトダイオードの偏波無依存化
• 長波長帯超高速モノリシック受信用OEIC
• 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
• 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
• 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
• 通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
• 各種スポット変換LD(SS-LD)の結合特性の3-D BPMによる比較
• 薄膜コアリッジ形スポット変換LDの3-DBPMによる設計
• PLCプラットフォームとSS-LDゲートを用いた光ゲートモジュールの特性
• スポットサイズ変換レーザ
• ドライエッチングメサとMOVPE法を用いた埋め込みレーザ
• 1.3μm帯 狭出射ビームスーパールミネッセントダイオード
• C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• UV誘起グレーティングとスポットサイズ変換LDを用いたハイブリッド4波長レーザ
• 導波路型pin-PDを用いた2チャネル受信用OEICの10Gbit/s動作
• 導波路型pinフォトダイオードを用いた10Gbit/s 2チャネル受信OEIC
• 超高速モノリシックPIN-HEMT及びモノリシック用レーザ
• PLCプラットフォームを用いた高速光電子混載ハイブリッド集積光送信モジュール : 実装技術
• PLCプラットフォームを用いた高速光電子混載ハイブリッド集積送信モジュール : モジュール特性
• C-14-6 光技術により発生した低コヒーレンス・テラヘルツ波の特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-14-5 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(2) : キャリア・ノイズ比が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• C-14-4 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(1) : 変調度が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• ED2012-107 サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク