通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
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概要
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本報告では通信用導波路デバイスを設計する際に使用する電磁界解析について議論するとともに実際のデバイスの設計例について報告する。具体的には有限要素法と3次元セミベクトルビーム伝搬法の組み合わせによるスポット拡大半導体レーザの設計、双方向Method of lineビーム伝搬法による導波路の端面反射率の算出、進行波電極形超高速電界吸収光変調器の進行波電極のフルベクトル有限要素法による設計をとり上げる。また、最近新しく開発した光導波路の2次元断面解析用のセミベクトルおよびフルベクトル有限要素法について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
永沼 充
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
Nttフォトニクス研究所
-
岡本 浩
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
Ntt 光エレクトロニクス研
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