長波長帯モノリシックpin-FETの雑音特性
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概要
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長波長帯モノリシック集積化pin-FETの雑音特性を,回路シミュレータSPICEを用いて解析した.本素子は,半絶縁性基板上にInGaAsp-i-n受光素子とInGaAsチャネル接合ゲート型電界効果トランジスタを集積化したものである.回路シミュレーションでは,InGaAsチャネルのFETの雑音特性を表現できるように,雑音パラメータを拡張したFETモデルを使用し,製作したpin-FETの雑音特性に対して,パラメータの抽出を行った.次に抽出したパラメータを使用し,増幅段の負荷にFETを使用した場合および増幅段にレベルシフトダイオードを挿入して単一電源で動作するようにした場合について,それぞれシミュレーションを行い,受信感度に対する影響を明らかにした.更に,4チャネルpin-FETアレーのチャネル間の雑音特性の差を,パラメータフィッティングによって解析し,FETのフリッカー雑音が周波数に対して1/f^<0.8>に依存すると仮定することで,雑音特性の差を説明できることを示した.こうしたシミュレーション技術は,雑音特性の要因を分析する場合に有効であると共に,回路設計時に雑音特性を予測する方法としても有効である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-25
著者
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
赤掘 裕二
Nttフォトニクス研究所
-
赤堀 裕二
NTT光エレクトロニクス研究所
-
幸前 篤郎
NTT光エレクトロニクス研究所
-
池田 睦夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
幸前 篤郎
NTTエレクトロニクス
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