ドライエッチングメサとMOVPE法を用いた埋め込みレーザ
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概要
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加入者用レーザ等では、半導体レーザ自身の低コスト化が課題であり、そのためには作製時の大面積化、高歩留まり化が必要となってくる。今回、結晶成長技術としては、大面積にわたる膜質均一性に優れたMOVPE法と、加工精度、制御性に秀でたドライエッチング加工によるメサストライプを用いた埋め込みレーザを作製し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
-
山本 〓夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
山本 〓夫
Nttエレクトロニクス(株)
-
伊東 雅之
NTT光エレクトロニクス研究所
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