通信用導波路デバイスの電磁界解析と設計
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1999-01-20
著者
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
永沼 充
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
Nttフォトニクス研究所
-
岡本 浩
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
Ntt 光エレクトロニクス研
関連論文
- 2インチInP基板上に作製したバットジョイント選択成長スポットサイズ変換レーザの均一性
- Butt-Joint型選択成長スポットサイズ変換付き1.3μmLD
- 偏波無依存LD型光ゲートスイッチ
- 半導体モノリシックAdd-Drop-Multiplexer
- 半導体モノリシック選択波長ルーター
- 光加入者系ゼロバイアス駆動LDの閾値電流, スロープ効率に対する要求条件 : 発振遅れ時間, 動作電流を考慮した設計チャート
- InGaAs/InGaAsP二層構造電極層を備えた高抵抗埋め込みレーザ
- 110GHz動作マッシュルーム構造導波路型pinフォトダイオード
- スポットサイズ変換付き1.3μmLDの結合特性
- MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作