高速歪み量子井戸InGaAsP光変調器/DFBレーザ集積化光源
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概要
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量子井戸構造をもつ電界吸収型光変調器とDFBレーザを集積化したデバイスは、低チャーピングな光源として有望である。その高速性に関しては、変調器の光吸収層とDFBレーザの活性層を同一層とした構造において、小信号帯域幅36GHzが報告されている。今回、我々はDFBレーザの活性層と変調器の光吸収層双方の層構造に自由度が大きくとれる特徴をもつバットジョイント方法を用いて、変調器MQWのウエル数、歪み量、およびディチューニング量の調整を行い、素子長を短くして低容量化を図った光変調器とDFBレーザとの集積化素子を製作し、良好な消光特性に加えて20GHz以上の高速変調特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
竹内 博昭
NTTエレクトロニクス(株)
-
竹内 博昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹内 博昭
Nttエレクトロニクス株式会社
-
山本 みつ夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
佐藤 憲史
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
都築 健
NTT光エレクトロニクス研究所
-
佐藤 憲史
NTT光エレクトロニクス研究所
-
小高 勇
NTT光エレクトロニクス研究所
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