1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析 (電子部品・材料)
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概要
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- 2010-08-26
著者
-
荒井 昌和
NTTフォトニクス研
-
川口 悦弘
NTTフォトニクス研
-
狩野 文良
NTTフォトニクス研
-
藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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