C-4-12 電流制御によるチューナブルDFBレーザアレイの高出力動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
-
大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
笠谷 和生
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
笠谷 和生
NTTフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
-
東盛 裕一
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
Ntt フォトニクス研
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
関連論文
- B-10-46 ガードインターバルを用いない偏波多重コヒーレントOFDMによる13.4Tb/s (134 x 111 Gb/s) 3,600km SMF伝送(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 熱補償型SSG-DBRレーザによる140nm高速波長掃引(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-4-20 高結合係数回折格子を有する位相制御波長可変DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-6 InP MZM搭載10Gbps波長可変光源の全Cバンド変調振幅一定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-33 DFBアレイ波長選択光源(TLA)の高出力高信頼動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-32 低消費電力高性能DFBアレイ波長選択光源モジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-12 電流制御によるチューナブルDFBレーザアレイの高出力動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 光を創る--光半導体集積化光源 (特集論文1 光ネットワークを創り支える光半導体集積技術)
- C-4-13 分布活性DFBレーザアレイのチャネル切り替えにおける熱波長ドリフトの抑制(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 波長可変レーザとInPマッハツェンダ変調器をハイブリッド集積した全C帯40Gbit/s DPSK波長可変送信モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-4-27 差動駆動直接変調DFBレーザによる25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 直接変調DFBレーザのフリップチップ実装に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- IP-VPNにおけるネットワーク連動型シングルサインオン実現方式の検討
- IP-VPNにおけるネットワーク連動型シングルサインオン実現方式の検討
- B-7-128 IP-VPNにおけるシングルサインオン実現方式の検討
- B-7-84 TSN におけるカットスルー光パス割当方式の設計
- B-7-83 TSN における光パス制御方式の評価
- B-7-82 TSN における光カットスルー方式の評価
- B-7-81 テラビット級スーパーネットワーク (TSN) の研究開発
- テラビット級スーパーネットワークにおけるマルチレイヤトラヒックエンジニアリングの検討(セッション10)
- 大規模MPLS網における集中制御型TEサーバ(セッション10)
- テラビット級スーパーネットワークにおけるマルチレイヤトラヒックエンジニアリングの検討
- 大規模MPLS網における集中制御型TEサーバ
- B-7-115 オンデマンドフロー管理システム検討
- B-7-113 品質制御方式とトラヒックエシジニアリング方式の連携
- B-7-37 GNSPにおける分散サーバ型帯域管理方式
- トラヒックエンジニアリング技術の実装について
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-7-54 IP-VPN における NW 連動型シングルサインオン実現方式の検討
- IP-VPNにおけるネットワーク連動型シングルサインオン実現方式の検討(セッション10)
- IP-VPNにおけるネットワーク連動型シングルサインオン実現方式の検討
- C-4-33 半絶縁基板上1.3μm帯DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半導体AWGとその応用
- 高速伝送用波長可変光源 (特集 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用光部品技術の研究開発)
- B-7-85 TSN におけるカットスルー IP 経路制御方式の評価
- 高機能波長可変光源技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)
- C-4-5 MZ変調器をモノリシック集積した波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- チャープドグレーティングを集積した40GHzモード同期半導体レーザ
- C-3-88 SSG-DBRレーザの発振モードの安定化の検討(2)
- SSG-DBRレーザの発振モード・波長の安定化の検討
- 波長可変レーザの発振周波数安定化
- C-4-11 波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 60GHzモード同期半導体レーザの2モード動作
- 測定可能量に基づくTCPスループット評価方法の検討
- 新構成法による半導体モノリシック集積型64ch-WDM用チャネルセレクタ
- 新構成法による半導体モノリシック集積型64ch-WDM用チャネルセレクタ
- 新構成法による半導体モノリシック集積型64ch-WDM用チャネルセレクタ
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引
- 16chDFBアレイ型波長選択光源による広帯域波長掃引
- SC-2-5 広帯域(46.9nm) 波長選択光源
- OFC/NFOEC 2011報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般(OFC報告))
- OFC/NFOEC 2011報告 : アクティブモジュール/デバイス関連(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,光増幅・中継技術,非線形・偏波問題,コア・メトロシステム,海底伝送システム,光伝送システム設計・ツール,一般(OFC報告))
- C-4-15 半導体マッハツェンダ光変調器を用いた光サブキャリア生成の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 デュアルドライブInP半導体MZMを用いた16QAM変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-2 光励起電流法を用いた半導体レーザの劣化解析(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-12 モードホップフリー波長可変レーザによる疑似アサーマル波長動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-13 InP導波路型偏波制御技術の開発(導波路デバイス(I),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-7 モノリシック集積型半導体光増幅器(SOA)の信頼性(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- ディジタルコヒーレント通信用狭線幅半導体レーザー
- 新構成法による半導体モノリシック集積型64ch-WDM用チャネルセレクタ
- C-3-68 モノリシック集積型64ch-WDM用チャネルセレクタ
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-5 高速変調EADFBレーザのフリップチップ実装(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-79 InP導波路型偏波制御技術(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- 高速波長可変分布活性DFBレーザの開発 (特集 フォトニックネットワークに貢献する光半導体技術)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 半導体光集積回路の進展と将来展望
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用
- C-4-9 100GbE用次世代トランシーバ向け超小型TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-53 InP DP-QPSK変調器(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-33 100GbE向けモノリシック集積光源高出力化のためのInPトランスバーサル・フィルタの透過特性(パッシブデバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-33 InP系半導体MZ光変調器の劣化モード解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-30 フィードフォワード制御によるTDA-DFBレーザの高速波長切替(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 TDA-DFBレーザアレイを用いた8波長切換動作と熱補償動作による周波数変動抑制(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 高速な高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)