10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的として、LD部とEA変調器部の活性層に温度耐性に優れたInGaAlAs系多重量子井戸を適用し、モノリシック集積した。作製した素子を用いて、-25℃〜100℃の全温度領域において、動的消光比9dB以上、80kmシングルモードファイバ伝送後の受信感度劣化2dB以下を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-12
著者
-
小林 亘
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt
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