GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)

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概要

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• 2012-06-22

著者

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

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