荒井 昌和 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

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概要

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関連著者

• 荒井 昌和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  Nttフォトニクス研究所

• 小林 亘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 亘

  NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  NTTフォトニクス研

• 狩野 文良

  Nttフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  Ntt

• 狩野 文良

  NTTフォトニクス研

• 藤原 直樹

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  NTTフォトニクス研

• 近藤 康洋

  NTTフォトニクス研

• 荒井 昌和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 依田 眞一

  (独)宇宙航空研究開発機構

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構

• 依田 真一

  JAXA

• 木下 恭一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部iss科学プロジェクト室

• 依田 真一

  Japan Aerospace Exploration Agency

• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 川口 悦弘

  Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 依田 眞一

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻

• 田所 貴志

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学

• 柴田 泰夫

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 依田 真一

  宇宙航空研究開発機構

• 菊池 順裕

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 八坂 洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤毛 勇一

  NTTフォトニクス研究所

• 依田 真一

  宇宙開発事業団宇宙環境利用研究センター

• 八坂 洋

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 保井 孝子

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 八坂 洋

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 依田 真一

  宇宙開発事業団 宇宙環境利用研セ

• 八坂 洋

  Ntt 光エレクトロニクス研

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構

• 湯田 正宏

  NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社

• 緒方 康行

  宇宙航空研究開発機構

• 柴田 泰夫

  NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社

• 八坂 洋

  NTTフォトニクス研究所、日本電信電話株式会社

• 足立 聡

  Jaxa

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究

• 保井 孝子

  NTTフォトニクス研究所

• 菊池 順裕

  NTTフォトニクス研究所

• 柴田 泰夫

  Nttフォトニクス研究所

• 緒方 康行

  Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)

• 八坂 洋

  Nttフォトニクス研

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 保井 孝子

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 足立 聡

  宇宙航空研究開発機構

• 正木 匡彦

  宇宙航空研究開発機構

• 青木 拓克

  フルウチ化学 (株)

• 山本 智

  フルウチ化学 (株)

• 細川 忠利

  フルウチ化学 (株)

• 松島 正明

  フルウチ化学 (株)

• 小林 亘

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 山中 孝之

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 藤原 直樹

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 藤澤 剛

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 都築 健

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 狩野 文良

  (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所

• 正木 匡彦

  芝浦工業大学

• 高柳 昌弘

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所iss科学プロジェクト室

• 松島 正明

  フルウチ化学株式会社筑波工場

• 山本 智

  フルウチ化学株式会社筑波工場

• 細川 忠利

  フルウチ化学株式会社筑波工場

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)

• 菊池 順裕

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 石川 毅彦

  宇宙航空研究開発機構

• 高柳 昌弘

  宇宙航空研究開発機構

• 金澤 慈

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡辺 孝夫

  Ntt基礎研

• 石川 光映

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 正木 匡彦

  Japan Aerospace Exploration Agency

• 石川 毅彦

  Japan Aerospace Exploration Agency

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  NTTエレクトロニクス

• 依田 眞一

  宇宙航空研究開発機構iss科学プロジェクト室

• 依田 眞一

  Japan Aerospace Exploration Agency

• 藤浬 剛

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  NTT東日本

• 渡辺 孝夫

  NTTフォトニクス研

• 木下 恭一

  Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)

• 足立 聡

  Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)

• 高柳 昌弘

  Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)

• 近藤 康洋

  Nttフォトニクス研究所

• 荒井 昌和

  東日本電信電話(株)サービス運営部技術協力センタ

• 川口 悦弘

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 小木曽 義弘

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 中島 紀伊知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 金沢 慈

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 神徳 正樹

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 具就

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:ナノフォトニクスセンタ

• 伊賀 龍三

  日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所

• 金澤 慈

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

• 田所 貴志

  日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所

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著作論文

• TLZ法による大型InGaAs単結晶の育成と半導体レーザーへの応用
• 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-7 SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器を用いた10Gbit/sデュオバイナリ伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-15 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• 板状In_Ga_As結晶成長とIn_xGa_As/In_Ga_As歪量子井戸の形成
• 3419 飽和溶融帯移動法(TLZ法)結晶成長における融液内対流抑制の重要性(S89-1 微小重力・宇宙環境利用(1),S89 微小重力・宇宙環境利用)
• 17aA07 In_xGa_As板状結晶の育成と基板としての品質評価(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
• 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-25 メタモルフィックバッファを用いた1.3ミクロン帯レーザの高温動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作 (光エレクトロニクス)
• C-4-4 メタモルフィックバッファを用いたGaAs基板上1.3ミクロン帯レーザによる20Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• C-4-2 InP(110)基板上シングル電極駆動MZ光変調器の提案(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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