InGaAs/InGaAsP二層構造電極層を備えた高抵抗埋め込みレーザ
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概要
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高抵抗埋め込みレーザは、素子容量が小さいため、高速変調素子や光加入者用送受レーザへ応用されている。この高抵抗埋め込みレーザにおいて良好な素子特性と信頼性を確保するためには、素子抵抗の低減が重要である。今回、InGaAs電極層とInPクラッド層のあいだにInGaAsPバッファ層を挿入した二層構造電極層を備えた高抵抗埋め込みレーザを作製し、低抵抗の素子が得られることを確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
福田 光男
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
馬渡 宏泰
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
馬渡 宏泰
NTTフォトニクス研究所
-
馬渡 宏泰
NTT光エレクトロニクス研究所
-
門田 好晃
NTT光エレクトロニクス研究所
-
伊賀 龍三
NTT光エレクトロニクス研究所
-
門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
-
福田 光男
Ntt 電子応用研
-
馬渡 宏泰
Ntt フォトニクス研
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