MOVPEによる高抵抗埋め込みレーザの信頼性評価
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概要
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RIEによるメサエッチングとMOVPE法による半導体レーザの埋め込み構造形成は、均一性向上やウエハの大面積化に適しているが、埋め込み界面の高品質化が課題となっている。またこれは、素子の初期特性や長期安定性を支配している。今回我々は1.3μm帯LDについて、特に埋め込みメサ作製プロセス時のプロセスパラメータと、初期特性及び長期安定性との関係について検討し、良好な信頼性特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
福田 光男
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
馬渡 宏泰
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
馬渡 宏泰
NTT光エレクトロニクス研究所
-
福田 光男
Ntt 電子応用研
-
馬渡 宏泰
Ntt フォトニクス研
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