等価回路解析によるSI埋め込み送受(LEAD)ダイオードの切り換え特性の検討
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概要
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光加入者システムにおいて、送信と受信を同一素子で行う方式が提案されており、それに適応しうる素子として我々はSI埋め込みLEAD(Light-emission-and-detection)ダイオードを提案し、その有効性を示してきた。この素子を実際に用いる際には、送信時にダイオード内に蓄積された電荷の放電特性が、TCM伝送におけるガードタイムを決める上で重要となる。今回、我々は、SPICEを用いた等価回路解析による放電特性の評価を行い、SI埋め込みLEADダイオードが送受切り換え特性の改善にも有効であることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
中村 誠
Ntt フォトニクス研
-
木村 秀明
NTTアクセスサービスシステム研究所
-
福田 光男
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT光エレクトロニクス研究所
-
東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
木村 秀明
Nttアクセス網研究所
-
木村 秀明
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
黒崎 武志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
中村 誠
NTT LSI研究所
-
杉江 利彦
NTT光ネットワークシステム研究所
-
福田 光男
Ntt 電子応用研
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