3.3V,50MHz帯域高感度CMOSプリアンプIC
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概要
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近年、経済的なCMOSプロセスを採用した光通信用ICの開発が報告されている。今回、我々は50MHz帯光通信用ICの開発を目的として、共に普及的なCMOS(0.8um)とBipolar(ft=20GHz)プロセスにおけるプリアンプの雑音特性比較検討を行い、50MHz帯域においてはCMOSプロセスの優位性が高いとの結論を得た。この結果に基づきCMOS(0.8um)プロセスを適用したプリアンプを試作し、入力換算雑音電流密度1.1pA/√Hz(50MHz内平均)、伝達インピーダンス91dBΩ,-3dB帯域51MHzと検討通りの良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
中村 誠
Ntt フォトニクス研
-
松山 哲
富士通北海道ディジタル・テクノロジ(株)
-
上野 典生
富士通(株)
-
上野 典夫
富士通(株)
-
上野 典夫
富士通株式会社
-
中村 誠
NTT LSI研究所
-
石原 昇
NTT LSI研究所
-
赤沢 幸雄
NTT LSI研究所
-
高氏 敏行
富士通北海道ディジタルテクノロジ株式会社
-
早川 敦史
富士通VLSI株式会社
-
赤沢 幸雄
Nttグループ企業本部
-
石原 昇
群馬大 大学院工学研究科
-
早川 敦史
富士通vlsi(株)
-
高氏 敏行
富士通北海道ディジタル・テクノロジ株式会社
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