GHz帯ECL低電力2モジュラスプリスケーラの設計技術
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概要
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本稿では、SiバイポーラECL回路における2モジュラスプリスケーラの低電力回路設計技術および適用するIC製造プロセスと回路性能の関係について述べるものである。低電力化の全体構成は、フリップフロップ回路の遅延を利用した構成が有効であることを示す。また基本フリップフロップ回路においては、低電圧化により単純に電力を低減する手法が考えられるが、速度補償のため大きな電流を必要となる。このため、消費電力的にはほとんど変わらないことを示す。さらに、高速Siバイポーラプロセスの性能(配線の寄生容量、トランジスタの高速性能)とプリスケーラ性能の関係を解析し、GHz帯領域では配線容量の影響が大きく、必ずしも高速性能に優れるトランジスタプロセスの適用が低電力化に有利にはならないことを述べる。最後に電源電圧1.8V、消費電力2.4mW、最大動作速度1GHzおよび3V、9mW、3GHzの性能を代表とする÷128, ÷129の2モジュラスプリスケーラICの評価結果を紹介し、設計、解析結果の妥当性を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-25
著者
-
山岸 明洋
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
小林 由治
NTT LSI研究所
-
石原 昇
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
田辺 泰之
NTT通信エネルギー研究所
-
石原 昇
NTT LSI研究所
-
石原 昇
Ntt フォトニクス研
-
山岸 明洋
NTT LSI研究所
-
田辺 泰之
NTTエレクトロニクステクノロジー
-
石原 昇
Ntt
-
山岸 明洋
Ntt
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